半导体物理与器件第3章 双极型晶体管.ppt

3. 基区 基区贮存电荷的改变已经由扩散电容所描述。晶体管的基极电流是一股平行于结平面方向流动的多子电流，它将在基区横向产生电位降，基区的这一作用可用一个电阻来等效，这一等效电阻称为基极电阻，用rb表示。 把发射结电流ie通过基区输运而转化为集电极电流的相互控制关系反映出来，为此可用一个恒流源表示，如图所示。 集电结和集电区的等效电路 4. 晶体管共基极高频等效电路 通过上述分析，立即可得到晶体管共基极“T”型等效电路。如果CTe、CDe并联后的电容用Ce代表、CTc、CDc并联后的电容用Cc代表，则得到晶体管共基极高频等效电路图所示。 晶体管共基极高频等效电路 5. 晶体管共发射极高频等效电路 将共基极晶体管高频“T”型等效电路中的基极与发射极交换，恒流源用βib去代替αie，就可得到共发射极晶体管高频“T”型等效电路，如图所示。在此需要说明的是，与βib并联的电阻缩小为原来的1/（1+β），而电容则扩大为原来的（1+β）倍。 晶体管共发射极高频等效电路 3.5.5 共基极交流电流放大系数及截止频率fα的定量分析 上面我们已经定义了共基极小信号电流放大系数= ic /ie，综合前面对晶体管交流传输过程，晶体管的共基极电流放大系数可表示为 下面对各个中间参量进行定量分析，从而得出与fα的定量表达式。 1. 发射效率和发射极延迟时间常数 通过前面对发射极发射过程的分析，并依据晶体管的共基极等效电路，我们也可将发射结等效为下图所示的电路。 发射结小信号等效电路 上图中in(X2)和反向注入电流ip(X1)是通过发射结动态电阻的电流，iCTe是对势垒电容充放电形成的分流电流。根据简单的并联支路的电流关系，可以得到 由发射效率的定义式可得 γ0为低频发射效率。 令re·CTe=τe，τe是发射结势垒电容充放电时间常数，则发射效率 式中ω为输入信号的角频率（ω=2πf）。 发射结延迟时间为 严格分析表明，in(X2)和ip(X1)均与频率有关，只有在晶体管的使用频率满足的关系时，才能认为in(X2)和ip(X1)与频率无关。不过，一般晶体管的使用频率都满足这个关系，所以上述结果通常是适用的。 2. 基区输运系数和基区渡越时间 注入基区边界的少子电子在渡越基区时，需要一定的时间，用τb表示。假设在基区中的x处注入少子电子的浓度为nb(x)、以速度u(x)穿越基区，这时形成基区传输电流则为 I nB (x)=Aq nb(x) u(x) 则载流子渡越基区的时间为 通常在基区宽度WbLnb时，基区传输电流InB (x)= In(X2)，且基本维持不变，此时基区少子分布可用线性近似，即 可以得到 τb也可用注入电流In(X2) 对扩散电容CDe进行充放电而产生基区积累电荷Qb所需的延迟时间，即有 τb=reCDe 由前面的讨论可知，交流基区输运系数为 与交流发射效率的分析方法相比较可推得均匀基区交流基区输运系数的一级近似表达式 式中 对于缓变基区晶体管，由于自建电场的作用，相当于扩散系数增大，所以可推得 3. 集电结势垒区输运系数和集电结势垒区延迟时间 当空间电荷区电场强度超过临界电场强度104V/cm时， 载流子的速度达到饱和，那么载流子将以极限速度usl穿过空间电荷区（对于硅usl≈8.5×106cm/s；对于锗usl≈6×1016cm/s）。载流子以极限速度穿过空间电荷区所需的时间为τs 式中Xmc为集电结空间电荷区宽度。 若将集电结势垒区输运系数βd写成与其他传输过程相同的形式，即 式中τd为集电结势垒区延迟时间，它等于载流子穿越势垒区所需时间的二分之一 。 4. 集电区衰减因子和集电区延迟时间 下图示出了集电结交流短路条件下，集电结小信号等效电路图。 集电结交流小信号等效电路图 集电区衰减因子αc为 式中τc称为集电极延迟时间。 τc=rcs·CTc τc代表通过集电区串联电阻rcs对势垒电容的充放电时间常数。 5. 共基极电流放大系数及其截止频率 共基极电流增益为 式中τec为发射极到集电极总延迟时间，τec=τe +τb +τd+τc；α0为直流或低频电流增益；ωα=1/τec=2πfα；f为信号频率。电流放大系数的幅值和相位滞后可表示为 当频率上升到f=fα时，α下降到其低频值的1/√2，因此fα称为共基极截止频率，其值为 上面得出的表达式，对均匀基区和缓变基区都适用. 3.5.6 共发射极交流电流放大系数β、fβ及fT的定量分析 1. 共发射极交流电流放大系数β和截止频率fβ 共发射极交流电流放大系数β是指工作在共发射极状态下，在输出端集电极交流短路时（即Uc=0） ，集电极交流电流ic与基极输入电流i