《半导体物理学第6章(pn结)》.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS;第六章 p-n结;§ 6.1 p-n结及其其能带图;6.1 pn结及其能带图; ;;图6-2;图6-4;; PN结的形成 在半导体基片上分别制造N型和P型两种半导体。经过载流子的扩散运动和漂移运动,两运动最终达到平衡，由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 ;1．PN结的形成 ; ① 扩散运动 —— P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，N区的电子必然向P区运动，P区的空穴也向N区运动，这种由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。 ② 漂移运动 —— 在扩散运动同时，PN结构内部形成电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区形成的内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即N区空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移。 ;漂移运动;－;;;热平衡条件;热平衡条件;内建电势;内建电势;;图6-8;;;图6-9;;Step Junction;§ 6.2 p-n结的电流电压特性;;;;★ 正向偏压下的p-n结;;;;;;;★ 反向偏压下的p-n结;;图6-14;★ 理想p-n结;★ 伏安特性;理想二极管方程;理想二极管方程;定量方程;准中性区的载流子运动情况;边界条件;耗尽层边界;耗尽层边界(续);准中性区载流子浓度;理想二极管方程;理想二极管方程(1);空穴电流;电子电流;PN结电流;;;; pn junction diode;;伏安特性;与理想情况的偏差; ★ p-n结击穿;; § 3 p-n结电容;PN结电容;★ 电容效应;图6-19(c);;扩散电容 CD;★ 突变结的空间电荷区;势垒区;;空间电荷;电势;;;P+-n结;★ 突变结的势垒电容;;★ 扩散电容;;;§4 p-n结的隧道效应;;★ p-n结势垒区的隧道贯穿;图6-29;;图6-27;;;§ 5 p-n结的光生伏特效应;;;;附：Pn结作为光电器件的其他一些应用;;; 发光二极管(LED)是一种p-n结，它能在紫外光、可见光或红外光区域辐射自发辐射光。可见光LED被大量用于各种电子仪器设备与使用者之间的信息传送。而红外光IED则应用于光隔离及光纤通讯方面。 ;图10-29;下表列出了用来在 可见光与红外光谱 区产生光源的半导 体。 ;图(b)则是以磷化镓为衬底制造的发橙、黄或绿光的间接禁带幂LED,用外延方法生长的缓变型GaAs1-yPy合金层用来使界面间因晶格不匹配所导致的非辐射性中心减至最小。 ; 目前最有希望的材料是氮化镓(Eg=3.44eV)和相关的Ⅲ-V族氮化物半导体，如AlGaInN，其直接禁带范围由1.95eV至6.2eV。; 虽然没有晶格相匹配的衬底可供GaN生长，但是低温生长的AlN做缓冲层，即可在蓝宝石(Al2O3)上生长高品质的GaN。右图即为生长在蓝宝石衬底上的Ⅲ-Ⅴ族氮化物LED。 ;;VDEg;dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiudsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiu dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f69