发光二极管资料.pptxVIP

LED（Light emitting diode）发光二极管光源;1、定义：发光二极管（LED）是一种固态发光，是利用半导体或类似结构把电能转换成光能的元件，属于低场下的注入式电致发光。 2、特点： B（亮度）高，室温下，全色LED大屏幕，5000－10000cd/m2 工作电压低，1－5V，可与Si逻辑电路匹配 响应速度快，10－7 － 1 0－9s 彩色丰富，已研制出红绿蓝和黄橙的LED 尺寸小，寿命长（十万小时） 视角宽，96年，达80度；97年，达140度;;;;; ;半导体发光二极管工作原理;假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空???直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在近PN结面数μm以内产生。;发光二极管中，电子-空穴对的复合发光时一种自发辐射过程，过程是随机的，每一对电子-空穴对的复合过程同别的电子-空穴对的复合过程没有关联，彼此是独立的——LED的自发辐射复合过程表现出光谱范围宽、 彼此相位不一致，没有偏振方向等特征。;Light Emitting Diode (LED)结构与材料 一、结构 采用半导体工艺在衬低上制作p-n结，然后制作Al电极，接着在半导体衬低一面蒸镀Au－Ge电极，制得芯片，封装芯片，焊到管座上，由超声波焊接或热压焊引出电极，最后涂覆透明的环氧树脂。 其形状和折射率对LED发光有很大的影响;半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。;面接触型二极管;平面型二极管;半导体二极管图片; p-n结注入式电致发光机理 （结型电致发光） 按照半导体材料不同形成的p-n结来进行电致发光的情况，可分为两类： 同质p-n结注入式电致发光 异质p-n结注入式电致发光 ;同质p-n结注入式电致发光;异质p-n结注入电致发光;;二、材料 LED对材料的要求： Eg较大，因为晶体发光的EmaxEg，3.1evEg1.72ev，Eg大，则便于发能量较大的蓝光或绿光 纯度高，晶格完整性好，以减小非辐射复合 直接带隙的半导体，其跃迁效率高 能容易与Al、Au等金属形成良好的欧姆接触 稳定性好，价格便宜;重要半导体的带隙; 对于LED材料的要求体现在LED特性上有二个重要的优质： 一是外量子效率。另一个引入亮度B;LED的制造工艺 结型发光器件工艺和一般半导体器件相似，但由于它是发光器件，因此必须充分注意其电学、光学特性的统一效果。 半导体发光材料通常是用外延材料制作的，GaAsP基片是由气相外延制造的，单晶晶片上切割下来的，而GaP和AlGaAs则采用的液相外延技术。相应的器件制作都是采用n型掺杂的材料，用Zn扩散方法，进行局部受主扩散形成p－n结。;平面结型LED工艺;;依器件结构和特性划分，LED可以划分为表面出光LED，端面出光LED和超辐射发光二极管（SLED）（高亮度发光二极管）;超辐射发光二极管（SLED）;LED（发光二极管）是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。;1、I～V特性 其正向I～V特性与普通二极管大致相同;;P-N Junction - V-I characteristics;2、 B～V特性和B～I特性 LED的发光亮度B与电压V的关系，用下式表示：;注意：发红光的GaP与上式不同，B呈现饱和。 材料中心通过Zn-O对进行的，当少数载流子密度达到一定的数值时会使发光中心饱和，而发绿光的GaP中辐射复合时通过浅施主能级进行，即使施主浓度很大也不会出现饱和。;内量子效率;载流子注入式电致发光;外量子效率 由于材料的折射率高，发射和吸收的损失大，辐射复合产生的光子不会全部射出。;功率效率 对理想的p-n结LED，V外全部加在p-n结上。但在实际上，在电极和LED接触处，LED半导体层本身都有电阻，称为串联电阻Rs。（会耗去相当大的功率，使器件发热，降低器件的性能） 一般直接带隙Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体LED中,Rs=1~3欧姆;间接带隙除Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体LED,Rs=10欧姆.Rs上的压降不影响量子效率,但减小了功率效率. 功率效率的可以表示为:;提高功率效率,则Rs下降,掺杂浓度升高.单不能太高(因为要影响LED的结晶完整性),一般取1018cm-3为宜.;a.选择适当的掺杂浓度 在p-n结加