半导体实验思考题.pdfVIP

西安理工大学半导体物理思考题 第一上传是因为这个我帮女友完成的第一个项目，第二我知道学弟学妹们需要 实验一 1.腐蚀时间过长或过短反射光圈会出现什么情况？ 时间过长，光圈变大变亮。 2.解理法得到的特征光图中反射光斑对应什么晶面 , （111）, （110）, （100 ）晶面的三个 特征光图之间的相互方位如何？ 解理法 将待测晶锭的一端先磨成锥形，在盛有 80 ＃金刚沙的研钵中研磨，使锥形对面上解理 出微小的解理面。这些解理面都是按特定的晶向解理出来，因而包含着结晶学构造中 的各 种方向特征。在图 1.3 所示的单晶硅一类的金刚石结构中，其一级理解面为 {111} ，这使因 为此晶面族之间原子间距最大，键合最小， 最容易在外力作用下发生解理。从图 1.3 可以看出， [110] 是一跟二次轴，其周围有两 个对称的理解面（ 111）和（ 111）,如果 [110] 晶轴与激光束平行，则从（ 111）、(!! 1) 解理面 上反射得到的特征光图呈二次轴对称。 而 [100] 是一根四次轴， 其周围有四个解理面， （111）、 （111）、（11 1），因而特征光图具有四次轴对称性。由于研磨不能保证全部得到由理想的解 理面组成的由规则小坑，而往往是杂乱无章的，因此反射出来的特征光图就显的比较暗淡， 降低了定向精度。 在硅单晶定向中主要采用腐蚀法。两种不同的预处理工艺所产生的特征 光图的区别是： （1）由于小坑内暴露出来的晶面不同，反射光束的方位和角度也不用； （2 ） 解理法产生的光图， 其光斑呈点庄， 这是因为其反射面为镜状解理面， 这是由于腐蚀坑的侧 面和底面的相交处的边缘呈圆钝状。 实验二 1.位错和层错是怎样形成的 ?他们对器件有何影响？ 层错：硅单晶沿 [111] 方向生长， 原子排列次序一定是 AA’BB’CC’…,但是由于某种原因， 原子排列不按正常次序生长 AA’BC’AA’BB’CC’…,这样原子层产生了错排。 产生的原因： 固液交界面掉有固体颗粒或热应力较大， 过冷度较大等都可能造成层错面 缺陷的产生，当衬底表面有机械损伤、杂质、 局部氧化物、高位错密度等都有可能引起层错 的产生。 层错常常发生在外延生长的硅单晶体上，当硅单晶片经过 900~1200 ℃热氧化过程后， 经常可发现表面出现层错。这些由氧化过程引起的层错，称之为 OISF 。 因为每个层错都结合着部分位错，所以层错对硅单晶片的电性质影响与位错相似。 对电子器件的影响 1）增加漏电流 2 ）降低栅氧化层质量 3）造成击穿 在材料科学中， 指晶体材料的一种内部微观缺陷， 即原子的局部不规则排列 （晶体学缺 陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界 线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。晶体生长过程中由于热应力 (或其他外力 )作用，使 晶体中某一部分 (沿滑移面 )发生滑移， 已滑移区与未滑移区的分界线叫位错线， 简称为位错。 位错的一般特性： (1)位错虽被视为线缺陷，但并非几何学意义上的线，而是有一定宽 度的管道。 (2)位错管道内及其附近形成一个应力场。位错管道内原子的平均能量比其他区 域大得多，故位错不是平衡缺陷。 (3)位错在晶体中可形成一封闭环形，或终止于晶体表面， 或终止于