数字电子技术基础第1章_数字电路和集成逻辑门电路.pptVIP

2.晶体管的特性曲线 （1）输入特性曲线 某三极管输入特性曲线 开启电压UON： 硅管的为0.5～0.7V， 锗管的为0.2～0.3V 发射结正偏 1.5 半导体分立门电路 （2）输出特性曲线 1.5 半导体分立门电路 3.晶体管的开关特性 （1）截止状态：当VI小于三极管发射结死区电压时，IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0，VCE≈VCC，三极管工作在截止区，对应图中的A点。 三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压 1.5 半导体分立门电路 此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区，其特点为IC＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏 （2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。有 β称为晶体管的电流放大系数 IB 1.5 半导体分立门电路 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增 加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES （3）饱和状态：保持VI不变，继续减小Rb，当VCE ＝0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有: IB 1.5 半导体分立门电路 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增 加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES， 其典型值为：VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞ IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏 （3）饱和状态： IB 1.5 半导体分立门电路 解：1) 当 时，由于 ，所以三极管截止， 2) 当 时 由上可得： ，故三极管工作在饱和状态， 。 思考题与习题 1.5 半导体分立门电路 4.晶体管非门电路 当输入低电平时，三极管截止， ， 输出高电平， 。 当输入高电平时，若等电路参数选择适当，保证三极管的基极电流大于饱和基极电流，即 ，则三极管饱和，输出低电平， 。 1.6 TTL集成门电路 1.6.1 TTL门电路系列 系列 电源电压(V) 最大 标准 最小 工作环境温度Ｔ（℃） 最大 最小 74TTL 5.25 5 4.75 70 0 54TTL 5.5 5 4.5 +125 -55 54TTL系列与74TTL系列性能比较 74TTL系列速度和功耗的比较 速度 系列 功耗 系列 快 74AS 小 74L 74S 74ALS 74ALS 74LS 74LS 74AS 74 74 慢 74L 大 74S 1.6 TTL集成门电路 1.6.2 TTL与非门电路 1. 电路组成 在电路中，采用了肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode，即SBD）和抗饱和型的肖特基三极管(Schottky transistor)。肖特基势垒二极管是利用金属和半导体之间的接触势垒所构成的，其正向压降约为0.3～0.4Ｖ，且开关速度比普通二极管高一个数量级左右。 · 74LS00 2.工作原理 （1）输入有低电平0.3V 时： 如果输入端Ａ输入为0.3Ｖ（即为低电平），Ｂ输入3.4Ｖ（即为高电平），则VD3正向导通，UB1 =0.7Ｖ，三极管V1 、 V2 、 V5截止。如果忽略R2上的电压压降， UC1约为5Ｖ， V3和V4导通，此时，电路输出为高电平，即 UOH ≈5－0.7－0.7=3.6Ｖ。如果考虑到在R2上产生的压降，则实际的输出高电平约为3.4V。 输入有低电平时，输出为高电平 0.3V 0.7V · · 1.6 TTL集成门电路 （2）输入全为高电平3.4V时 VD3、 VD4截止，电源电压VCC通过电阻R1向V1注入基极驱动电流，使V1饱和，V1导通后，就向V5的基极注入电流，使V5管工作于抗饱和状态，故输出低电平UOL≈0