数字电子技术4.4.pptVIP

* 4.4.1 MOS 管的开关特性 (电压控制型) MOS（Mental – Oxide – Semiconductor） 金属 – 氧化物 – 半导体场效应管 一、 静态特性 1. 结构和特性： (1) N 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S 3V 4V 5V uGS = 6V iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 0 uGS /V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 UTN iD 开启电压 UTN = 2 V + - uGS + - uDS 衬 底 漏极特性 转移特性 uDS = 6V 截止区 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬 底 iD /mA iD /mA -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 0 -10 -8 -6 -4 -2 - 3V - 4V - 5V uGS = - 6V -1 -2 -3 -4 -6 uGS /V uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 漏极特性 转移特性 截止区 UTP uDS = - 6V 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 4.4.2 MOS管的分类 (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTN = 2 V iD +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO RON RD (2) P 沟道增强型 MOS 管 -VDD -10V RD 20 k? B G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTP = - 2 V -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO iD +VDD +10V B1 G1 D1 S1 uA uY TN TP B2 D2 S2 G2 VSS + - uGSN + - uGSP 4.4.3 CMOS 反相器 一、电路组成及工作原理 A Y 1 0V +10V uA uGSN uGSP TN TP uY 0 V UTN UTP 截止 导通 10 V 10 V UTN UTP 导通 截止 0 V UTN = 2 V UTP = - 2 V +10V RONP uY +VDD 10V S TN TP +10V RONN uY +VDD 0V S TN TP 输入端保护电路: C1、C2 — 栅极等效输入电容 (1) 0 uA VDD + uDF (2) uA VDD + uDF D 导通电压： uDF = 0.5 -- 0.7 V (3) uA - uDF 二极管导通时，限制了电容两端电压的增加。 保护网络 +VDD uY uA TP D1 C1 C2 RS TN D2 D3 VSS D1、D2、D3 截止 D2、D3 导通 uG = VDD + uDF D1 导通 uG = - uDF 二、静态特性 1. 电压传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH AB 段： uI UTN ， uO = VDD 、 iD ? 0， 功耗极小。 0 uO /V uI /V TN 截止、TP 导通， BC 段： TN 导通，uO 略下降。 CD 段： TN、TP 均导通。 DE、EF 段： 与 BC、AB 段对应，TN、TP 的状态与之相反。 转折电压 指为规定值时，允许波动的最大范围。 UNL： 输入为低电平时的噪声容限。 UNH： 输入为高电平时的噪声容限。 = 0.3VDD 噪声容限： 2. 电流传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH 0 uO / V uI / V A B C D E F 0 iD / mA uI / V UTH 电压传输特性 电流传输特性 AB、EF 段： TN、TP总有一个为 截止状态，故 iD ? 0 。 CD 段： TN、Tp 均导通，流过两管的漏极电流达到最大值 iD = iD（max) 。 阈值电压： UTH = 0.5 VDD （VDD = 3 ~ 18 V） 4.4.4其它类型CMOS门电路 A