覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究Studyon.pdfVIP

第40卷第10期 电  子  与  信  息  学  报 Vol. 40No. 10 2018年10月 Journal of Electronics  Information Technology Oct. 2018 覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究 *① ①② ①② ① ③ 阴生毅       任   峰       卢志鹏       张永清       张申金       ③ ④ ① ① 杨   峰       卫   东       邯   娇       李   阳 ①(中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室   北京   100190) ②(中国科学院大学   北京   100039) ③(中国科学院理化技术研究所功能晶体与激光技术重点实验室   北京   100190) ④(北京中科科仪股份有限公司   北京   100190) 摘   要：覆膜对浸渍扩散热阴极表面电子发射的影响一直是热阴极研究领域的重点课题。该文采用最新研制的深 紫外激光光发射电子显微镜/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM)，对一半覆膜、另一半未覆膜的浸渍扩散阴 极试样作了1150 ℃×2 h激活，并对其表面微区的热电子发射像及其随温度的变化作了比较。结果发现，两种阴 极的热电子发射均主要位于孔隙及其邻近颗粒边缘；随温度升高，未覆膜阴极发射主要集中于孔隙内及周边有限 区域内，发射面积增量较小，覆膜则使阴极有效发射区域得以由孔隙及其边缘向距孔隙更远的区域延伸，发射面 积大幅增加。上述结果首次给出了覆膜浸渍扩散阴极微区的电子发射特征，对于理解该类型阴极发射机理有一定 参考价值。 关键词：覆膜浸渍扩散阴极；电子发射；微区；光发射电子显微镜 中图分类号：O462 文献标识码：A 文章编号：1009-5896(2018)10-2535-06 DOI: 10.11999/JEIT171000 Study on Electron Emission Phenomenon of the Surface Micro Area of Coated Impregnated Dispenser Cathode ① ①② ①② ① YIN Shengyi       REN Feng       LU Zhipeng       ZHANG Yongqing       ③ ③ ④ ① ①