电子技术基础,单选.docVIP

下载可编辑 PAGE .专业.整理. 试题代码 题型：-- 分值：-- 难度系数：-- 能力层次：-- 题目内容 答案：-- 0101001 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.3 能力层次：识记 本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度的关系为( )。 A.自由电子浓度大于空穴浓度 B.自由电子浓度小于空穴浓度 C.二者相等 答：[C] 0101002 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度( )。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 答：[C] 0101003 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.4 能力层次：识记 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于( )。 A.温度 B.材料 C.掺杂工艺 D. 掺杂浓度 答：[C] 0101004 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 在掺杂半导体中，少子的浓度受( )的影响很大。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.材料 答：[A] 0101005 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.3 能力层次：识记 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将( )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 答：[A] 0102001 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 硅二极管的完全导通后的管压降约为( )。 A.0.3V B.0.5V C.0.7V D.1.0V 答：[C] 0103012 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 晶体管能够放大的外部条件是( )。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.不确定 答：[C] 0103013 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 当晶体管工作于饱和状态时，其( )。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.不确定 答：[A] 0103014 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 对于硅晶体管来说其死区电压约为( )。 A.0.1V B.0.5V C.0.7V D.不确定 答：[B] 0103015 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 晶体管的导通压降| U BE |约为 。 A 0.1V B 0.7V C 0.5V D 不确定 答：[B] 0103016 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA ,则该管的β为( )。 A.40 B.50 C.60 D.不确定 答：[A] 0103017 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能( )。 A.越好 B.越差 C.无变化 D.不确定 答：[A] 0103018 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能( )。 A.高 B.低 C.一样 D.不确定 答：[A] 0103019 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 温度升高，晶体管的电流放大系数( )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 答：[A] 0103020 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 通常情况下，三极管工作在( )区时，可被看作是一个线性器件。 A.饱和区 B.截止区 C.放大区 D.击穿区 答：[C] 0103021 题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 三极管工作在截止区的外部条件是( )。 A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射