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微电子器件原理与设计;第1章 pn结;第1节 平衡pn结;;;;;;;;;;; 二、pn结的形成 ;; 2. 内建电场; 在没有外加电压情况下，载流子的扩散和漂移最终将达到动态平衡。此时，没有电流流过pn结，空间电荷区不再扩展，称为平衡pn结。; 三、平衡pn结 ; 由于自建电场由 n区指向 p区，说明p区电势低于n区，如图所示。 ;; 平衡时 pn 结的载流子浓度分布如图所示。; 上述分析表明，平衡时在 pn 结处形成一个高阻区域——势垒区（又称为耗尽区），其典型宽度在10 μm量级。 ;;;;第2节 pn结的电流特性;;;; 此时，n区势垒边的空穴，被势垒区的强电场驱向p区，而p区势垒边的电子被驱向n区。; 2. 非平衡少子分布; 在p区，由于空穴浓度很高，且势垒区很窄，费米能级和变化可以忽略，因此空穴的费米能级从p区到势垒区一直保持EFp; 在p区势垒边处，电子准费米能级等于EFn，则电子和空穴的浓度分别为;由于 ; 注入的非平衡少子向体内边扩散边复合，形成一个稳态分布，根据扩散理论和边界条件，可得 ;（2）反向pn结少子分布; 在反向抽取下，p区和n区势垒边的非平衡少子浓度远低于平衡少子浓度，因此，同平衡少子相比，势垒边的少子浓度近似为零。反向偏压下少子分布如图所示。; 3. 电流转换和传输;（2）反向pn结的电流转换; 二、pn结电流电压方程 ;;; 2. 肖克莱方程式;在n区势垒边注入的非平衡少子的浓度为 ;因此，流过 pn 结的电流密度为; 三、pn结的伏安特性 ; pn结伏安特性曲线具有以下特征：;;; 由肖克莱方程式，可知：;;;;;;; 实验表明，理想pn结的电流电压方程式同小注入下Ge-pn结符合的很好，与Si-pn结则偏差较大。影响pn结伏安特性的主要原因： ;;;* 仅当正向偏压比较低、或电流比较小时，复合电流才起重要作用。当外加电压大于0.5V时，复合电流的影响很小。 ;;; 2. pn结表面的复合与产生电流;;;（4）表面漏导电流;;;;; 对于反向电流密度，可以表示为;;第3节 pn结的电容特性; pn结具有电容特性，它主要包括势垒电容和扩散电容两部分。 ;;;;; 对于突变结，势垒区的电荷密度分布为 ;根据耗尽近似和电中性近似，势垒边处场强为零，于是可得势垒区的电场分布;（2）空间电荷分布 ;（3）电势分布 ;;所以得;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; pn结加外电压时，由于少子注入，而在扩散区积累的少子按照指数形式分布，可写成 ;即; 设pn结面积为S，则正向偏压下，总的微分扩散电容为;;第4节 pn结的开关特性; 一、pn结的开关特性分析 ;;;（2）反向偏压等效电路; 2. 静态开关特性; 3. 瞬态开关特性; 当外加偏压阶跃为反向电压Vr 时，流过pn结的反向电流并没有立刻变为反向饱和电流I0，而是经过一段时间后才恢复到反向饱和电流状态。; 事实上，当脉冲电压从负阶跃到正时，流过pn结的电流也需要一个变化过程才达到正向电流If 值。但相比于反向恢复过程，这一上升过程经历的时间较小，因此影响开关速度的主要因素是反向恢复时间。; 二、pn结的反向恢复过程 ; 当仅考虑扩散运动时，注入空穴在n区的浓度为; 2.反向恢复过程; 从物理概念上看，反向恢复时间就是正向注入时储存在扩散区的非平衡少子消失的时间。; 由于t = 0时，储存电荷为;（2）抽取作用; 3.反向恢复时间; 在注入和抽取共同作用下，非平衡少子的分布如图所示。; 储存时间是势垒边处非平衡少子浓度达到零时所经历的时间，由如图可知，当当势垒边少子浓度为零时，剩余储存电荷为;（2）下降时间; 实际的下降时间比上式计算值大，这是由于下降时间一般比寿命短几个数量级，所以可以认为残存少数载流子主要是通过反向电流抽走的，此时复合还来不及起作用。另外，反向电流是逐渐减小的。; 双极扩散系数; 三、提高pn结开关速度的途径 ; 正向电流对电荷储存量的影响如图所示，电流越大，储存电荷越多。; 综上所述，影响pn结开关速度的主要因素是：正向电流、反向电流和非平衡少数载流子的寿命。因此，提高pn结开关速度应从以下几个方面考虑。;（3）器件材料与工艺方面; 金在硅中是有效的复合中心，因此在开关二极管中常采用掺金的方法来提高其开关速度。在工艺上一般采用高温扩散、快速冷却的方法，使高温下进入硅中的金冻结在材料中。;第5节 pn结的击穿特性;;;; 由于这种载流子倍增效应与雪崩过程相似，故称为雪崩倍增效应。; 根据碰撞电离率和雪崩倍增因子的定义，利用pn结电流关系，可得p+n结空穴电流雪崩倍增因子与碰撞电离的关系。即