检测与转换技术第08章.pptVIP

第一节　霍尔传感器 一、工作原理、材料及结构特点 （一）霍尔效应 　　金属或半导体薄片，若在它的两端通过控制电流I，并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，那么，在垂直于电流和磁场方向上（即霍尔输出端之间）将产生电动势UH （霍尔电动势或称霍尔电压）。这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。 相应的电动势就称为霍尔电势UH，其大小可用下式表示： （二）材料及结构特点 　　霍尔元件一般采用N型锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。 　　霍尔元件的结构由霍尔片、引线和壳体组成。 （三）基本电路 　　霍尔元件的基本电路。控制电流由E供给，RP为调节控制电流大小的调节电阻。R f为一般电阻作为负载电阻，也可以是放大器的输入电阻或指示器的内阻。在磁场作用下，负载上就有电压输出。在实际使用时，以I或B，或两者同时作为输入信号输入，而输出信号则正比于I或B，或两者的乘积。 二、电磁特性 （一）UH—I特性　　 （二）UH—B特性 三、误差分析及误差补偿方法 　　霍尔传感器输入、输出关系简单，且线性好，但是影响它的性能的因素及造成误差的原因很多，主要有以下几个方面： （一）元件的几何尺寸，电极接点大小对性能的影响 　　实际上霍尔片总有一定长度比Ｌ／l，而元件的长度比是否合适对霍尔电动势大小有直接关系。 （二）不等位电动势U0及其补偿 　　不等位电动