先进陶瓷材料及进展高介电容器瓷资料.pptxVIP

第七章 高介电容器瓷§7.1 概述§7.2 电容器瓷的介电特性§7.3 高频电容器瓷的主要原料§7.4 中高压陶瓷电容器瓷§ 7-1概述1、对电容器瓷的一般要求：①、介电系数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓②、介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-7，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。③、对I类瓷，介电系数的温度系数αε要系列化。对II类瓷，则用ε随温度的变化率表示（非线性）。I类瓷II类瓷 § 7-1概述④、体积电阻率ρv高（ρv1012Ω·cm） 为保证高温时能有效工作，要求ρv高⑤、抗电强度Ep要高 a、小型化，使Ε=V/d↑ b、陶瓷材料的分散性，即使ΕEp，可能仍有击穿。 装置瓷低介（ε10，tgδ小）高频中介（ε=12~50 ，tgδ小）（I类瓷）高介（ε=60~200，tgδ小）低频：高ε ，较大的tgδ强介陶瓷或称铁电陶瓷（II类瓷）半导体陶瓷III类瓷：超高ε§ 7-1概述2、电容器瓷分类： § 7-1概述Ⅰ类瓷是电容量随温度变化稳定度高的电容器瓷，主要用于高频谐振回路中。Ⅰ类瓷主要以钛、锆、锡的化合物及固溶体为主晶相。（主要用于：高频热稳定电容器瓷，高频热补偿电容器瓷）Ⅱ类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的铁电强介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低频高介电容器瓷）Ⅲ类瓷：半导体陶瓷 § 7-2电容器瓷的介电特性§7-2-1 高介电容器瓷的分类§7-2-2值不同的原因§7-2-3 ε的对数混合法则§7-2-4 产生高介电系数的原因§7-2-5 含钛陶瓷的介质损耗金红石瓷：TiO2钛酸盐瓷：CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3按主晶相分锡酸盐瓷：CaSnO3、 SrSnO3锆酸盐瓷：CaZrO3铌铋锌系：ZnO－Bi2O3-Nb2O5a0TiOCaTiOSrTiO：、、e233a0MgTiO3CaSnO3SrSnO3CaZrO3：、、、ea?0BaO?7TiO2：3 § 7-2电容器瓷的介电特性§7-2-1 高介电容器瓷的分类按的值分aε温度每变化1℃时介电系数的相对变化率 § 7-2电容器瓷的介电特性§7-2-2值不同的原因 有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。 a、? TiO2、CaTiO3 b、? CaSnO3、CaZrO3 c、? BaO·7TiO2μ-+- +- +- +- +-+- +- +- +- +-+-+- +- +- +- +-+- +- +- +- +-+P§ 7-2电容器瓷的介电特性极化强度:介电常数:电介质的极化§ 7-2电容器瓷的介电特性离子晶体中主要是电子位移极化与离子位移极化。EE=02r+-+电子原子核极化后极化前电子位移极化§ 7-2电容器瓷的介电特性E=0-+E→-+离子位移极化 § 7-2电容器瓷的介电特性a、TiO2、CaTiO3以电子位移极化为主[TiO6]八面体，Ti7+高价、小半径→离子位移极化→强大的局部内电场EiTi7+，O2-→ 极化率大→电子位移极化为主Ei金红石型晶体结构 § 7-2电容器瓷的介电特性b、CaSnO3、CaZrO3等以离子位移极化为主 T↑→n↓（距离↑）→ε↓ T↑→V↑（热膨胀）→（r++r-）↑→αa（极化率）按（r++r-）3↑↑→ε↑↑§ 7-2电容器瓷的介电特性c、BaO·7TiO2§ 7-2电容器瓷的介电特性§7-2-3 ε的对数混合法则对于n相系统：§ 7-2电容器瓷的介电特性 由以上法则，在生产实践中，可用具有不同εi、αi材料通过改变浓度比来获得满足各种温度系数要求的材料。如：由αε0 +αε0的瓷料获得αε≈0的瓷料。§ 7-2电容器瓷的介电特性§7-2-4 产生高介电系数的原因金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产生强烈的离子位移极化和电子位移极化，使得作用在离子上的内电场得到显著加强，故ε大。钛酸锶铋也是利用SrTiO3钙钛矿型结构的内电场，而加入钛酸铋等，使之产生锶离子空位，产生离子松弛极化，从而使ε增大。 § 7-2电容器瓷的介电特性§7-2-5 含钛陶瓷的介质损耗低温下高频电容器瓷的tgδ较小，但在一定的频率下，当温度超过某一临界温度后，由离子松弛极化和电子电导所引起的大量能量损耗，使材料的介质损耗急剧地增大。另外：①TiO2的二次再结晶，破坏晶粒的均匀度，使材料的机械性能和介电性能恶化；②Ti7+→Ti3+→tgδ↑ § 7-3高频电容器瓷的主要原料§ 7-3-1 热补偿电容器瓷§ 7-3-2 热稳定电容器瓷§ 7-3-3 温度系数系列化的电容器瓷§