半导体激光器分析.pptxVIP

半导体激光器（Laser Diode 即LD） 6.3.1半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理 受激辐射和粒子数反转分布 PN结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 二、半导体激光器基本结构 6.3.2半导体激光器的主要特性 一、发射波长和光谱特性 二、激光束的空间分布 三、转换效率和输出光功率特性 四、 频率特性 五、 温度特性 6.3.3分布反馈激光器 一、 工作原理 二、DFB激光器的优点 6.3.1半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。 光受激辐射、发出激光必须具备三个要素：1、激活介质经受激后能实现能级之间的跃迁；2、能使激活介质产生粒子数反转的泵浦装置；3、放置激活介质的谐振腔，提供光反馈并进行放大，发出激光。受激辐射和粒子数反转分布 有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。 在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2, 3, 4 …)称为激发态。(热力学平衡状态下，在较低能级上比较高能级上存在较多的电子) 电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式：受激吸收（本征吸收） 自发辐射 受激辐射E2E1E2E1初态hυ=E2-E1终态(a) 自发辐射光子的特点：非相干光E2E1E2E1初态hυ终态(b) 受激辐射光子的特点：相干光EE22EE11EE22EE11初态终态hυhυ终态初态(b) 受激辐射 (c) 受激吸收 产生激光的必要条件一：受激辐射占主导地位(1)自发辐射 在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用， 也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图6－15(a)。 (2)受激辐射 在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射，见图6－15(b)。(3)受激吸收 在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴，见图6－15(c)。  受激辐射和自发辐射区别在于是否有外来光子的参与，且产生的光的特点很不相同。 受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。受激辐射和受激吸收的区别与联系 受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即 E2-E1=hυ式中，h=6.628×10-34J·s，为普朗克常数， υ为吸收或辐射的光子频率。 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。 设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。 当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布式中， k=1.381×10-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2-E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2。 这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。 如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质。 如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。 N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。 问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢? 导带 导带 价带 价带正常分布反转分布产生激光的必要条件二：粒子数反转分布产生粒子数反转的方法注入载流子－半导体激光器强光对激光物质进行照射－固体激光器气体电离－气体激光器 图 3.2半导体的能带和电子分布(a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 2. PN结的能带和电子分布 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec 和价带顶的能量Ev 之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。(3.3)在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。 在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。  一般状态下，本征半导