电工学第六章 (3).pptVIP

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  • 2020-01-31 发布于辽宁
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第6章 第6章 6.1 半导体的基本知识 6.2 晶体二极管的伏安特性和主要参数 6.3 单相桥式整流滤波电路 6.4 硅稳压管与稳压电路 6.1 半导体的基本知识 1.本征半导体 2. P型半导体和N型半导体 3. PN结的形成 4. PN结的单向导电特性 1.本征半导体 图6-1 硅共价键结构及 电子空穴对的产生 2. P型半导体和N型半导体 (1) N型半导体 若在本征半导体硅或锗中掺入少量的五价元素(如磷),由于每一个磷原子与相邻的4个硅原子组成共价键时,多出一个电子。 (2) P型半导体 若在本征半导体硅或锗中掺入少量三价元素(如硼),由于硼原子的最外层有3个价电子,每一个硼原子与相邻的3个硅原子组成共价键时,就产生了一个空位(空穴)。 (1) N型半导体  若在本征半导体硅或锗中掺入少量的五价元素(如磷),由于每一个磷原子与相邻的4个硅原子组成共价键时,多出一个电子。 (2) P型半导体  图6-2 N型及P型半导体 3. PN结的形成 图6-3 空间电荷区的形成 4. PN结的单向导电特性 (1)PN结外加正向电压 在PN结两端加上正向电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,简称正向连接,如图6-4a所示。 (2) PN结外加反向电压 在PN结两端加上反向电压,即P区接电源负极,N区接正极,简称反向连接,如图6-4b所示。 (1)PN结外加正向电压 在PN结两

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