f3 4薄膜的制备方法离子束 溅射.pptxVIP

2. 实验设备： 离子能量：几十～1500ev ;3. 优点： ?膜层致密、均匀、减少缺陷 ?提高薄膜性能的稳定性（不易吸附气体 或潮气） ?附着好（界面有膜料粒子渗入） ?可分别独立调节各实验参数、控制生 长，以利研究各条件对膜质量的影响。;4. 原因： ?沉积前，先离子轰击基片——溅射表面吸附的污染物，表面除气及净化。 ?薄膜形成初期，离子轰击使部分膜料原子渗入基片表层，在界面形成中间薄层——增强附着，改善应力。 ?沉积过程中，离子轰击正在形成膜——改善微观结构、膜层更致密。;1.何谓离子束混合？ 在基片表面先沉积一层（膜厚﹤1000 ） 或几层（每层小于150 ）不同物质的膜。（总厚小于 1000 ） 用高能重离子轰击膜层，使膜与基片表面混 合，或多层膜之间混合，形成新的表面材料 层。;2. 对离子束的要求： ?离子能量尽量高（200～300keV以上） ?较高的惰性气体离子，如Ar＋ 3. 特点： ?获得常规冶金方法得不到新材料。 ?比离子注入法更经济;用离子源产生的离子束轰击靶表面，把靶表面的靶原子溅射出来沉积在衬底表面;（一）.直流二极溅射;（二）射频溅射;（三）磁控溅射;2.磁控溅射原理： 把磁控原理和二极溅射法相结合，用磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，受正交电磁场作用的电子，在其能量快耗尽时才落到基片上，大大提高气体的离化率。;3.为什么要加磁场？;特点： 离化率较高，沉积速率快；基片温升低； 工作气压较低——气体对膜质量影响较小。;四. CVD——化学气相沉积法 ——Chemical Vapor Deposition;2. 常规CVD: 没等离子增强激活的CVD方法。 ;（1）沉积条件 ?气态反应物（液态或固态使其气化） ?反应生成物除所沉积物外，其余应气态，可排 出反应室 ?沉积物的蒸气压应足够低 （2）影响沉积质量的因素 ?沉积温度 ?气体比例、流量、气压 ?基片晶体结构、膨胀系数等 ;(3). 优点 ?在远低于所得材料熔点的温度下获得高熔点材料 ?便于制备各种单质或化合物 ?生长速率较高 ?镀膜绕性好 ?设备简单 缺点： ?反应温度比PECVD高 ?基片温度相对较高 ;3.PECVD(包括RFCVD、MWCVD、ECRCVD) MWCVD结构图;（1）PECVD原理： 利用射频、微波方法在反应室形成的离子体的 高温及活性，促使反应气体受激、分解、离化, 以增强反应，在基片生长薄膜。 （2）PECVD优点： ?可在较低温度下生长薄膜——避免高温下晶粒粗大 ?较低气压下制膜——提高膜厚及成分的均匀性。 ?薄膜针孔小，更致密，内应力较小，不易产生裂纹 ?附着力比普遍CVD好。 ;缺点： ?生长速率低于普通CVD ?设备相对复杂些 （3） RFCVD、MWCVD和ECRCVD的区别: ? RFCVD——f=13.6MHz ? MWCVD ——f=2.45GHz,频率高，气体分解和离化率更高。 ? ECRCVD——又加有磁场，促使电子回旋运动与微波发生共振现象，有更大的离化率。可获更好的薄膜质量和高的生长速率。 ;4.MOCVD （1）原理： 利用热分解金属有机化合物进行化学反应， 气相外延生长薄膜的CVD方法。 （2）适合的金属有机化合物: 金属烷基化合物 如： 三甲基镓（CH3)3Ga，三甲基铝（CH3)3Al 二乙烷基锌（C2H5)2Zn. ;(2). MOCVD特点 ?沉积温度低 如ZnSe（硒化锌）膜，仅为350℃；而普通CVD法850 ℃ ?低温生长——减少污染（基片、反应室等）提高膜纯度；降低膜内空位密度。（高温生长易产生空位） ?可通过稀释反应气体控制沉积速率，有利于沉积不同成分的极薄膜——制备超晶格薄膜材料。 主要缺点： ?许多有机金属化合物蒸气有毒，易燃，需严格防护 ?有的气相中就反应，形成微粒再沉积到基片。 ;一、微量天平法 1.原理: 高精度微量天平称基片成膜前后的重量， 得出给定面积S的厚膜质量m，由下式计算出膜 厚： ， 为块材密度 2.测量天平精度达微克，不能测重基片的样品 。;二 电阻测量法（可测金属、半金属、半导体膜） 1.原理：测方块电阻R，利用ρ=R·d 计算出厚度d。 2.存在问题：ρ随膜厚变化有大的差别，特别是超薄膜。 原因： ?膜不连续时，导电能力差； ?连续膜时，杂质缺陷也比块材多； ? 薄膜界面对电子或空穴的非