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2、原子层沉积设备公司 英作纳米科技(北京)有限公司,专门从事原子层沉积技术的研发与设备的制造。是中国大陆最早自主研发生产原子层沉积设备的高新技术企业。 美国Arradiance,公司成立于2004年,是美国专业研发和制造ALD 设备的主要厂家之一。 美国SVT公司-ALD原子层沉积系统 芬兰纳米技术企业Picosun公司 复旦大学微电子学院--张卫 北京印刷学院等离子体物理与材料实验室,陈强教授--010 三、等离子镀膜机 1、定义 等离子体束溅射镀膜机主要由射频等离子体源、真空获得系统、电磁线圈(发射线圈及汇聚线圈)、偏压电源、真空室(包括靶材及基片等)、真空控制系统等部分构成。其显著特点是它的等离子体发生控制系统。 HQ-2型PECVD(等离子增强化学气相淀积) 该设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的专用设备。淀积温度能够较高 (?100~450oC可调 ) ,特别适用于半导体器件和集成电路的钝化,用以提高器件和集成电路可靠性。目前,它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。 2、等离子镀膜机设备公司 中国科学院微电子研究所微电子设备开发部 美国Nano-Master公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统,该系统能够沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)等。可选用射频(RF)、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。 半导体用高端精密设备仪器介 绍 主要内容 一、产业介绍 二、邳州现有企业介绍 一、产 业 介 绍 (一)全球制造设备产业布局情况 2013年全球半导体生产设备销售额为315.8亿美元,比2012年的369.3亿美元下降了14%。2014年全球半导体设备市场产值达到395亿美元,年增长率达23.2%。预计2015年半导体设备产值将比2014年再上升2.5%。 中国大陆和台湾地区的半导体设备市场领先其他地区。 全球集成电路制造设备销售额分区域统计 ? 中国大陆 中国台湾 日韩 欧美 其他 2010年 37 113 131 81 38 2011年 37 85 145 135 34 2012年 25 95.3 121 107 21 2013年 32.7 105.7 85.4 70 22 2014年 41 110 117 108 19 2015年 42 110 124 106 23 (单位:亿美元) (二)集成电路工序及所用设备 一般来讲,制造一块集成电路芯片需要上百道工序,可以概括为前道工艺(front-end production)和后道工艺(back-end production)。 前道工艺以单晶硅片的加工为起点,以在单晶硅片上制成各种集成电路元件为终点;后道工艺即封装测试环节,以最终制成集成电路产品为终点。 仪器设备应用步骤 镀 膜(100步)→原子层镀膜设备/溅射薄膜镀膜系列 ↓ →甩胶机 光 刻(20步) ↓ →甩胶机 刻 蚀(100步)→等离子蚀刻系列/磁存储刻蚀设备 ↓ 清 洗(100步) ↓ 电 镀(10步) ↓ 化学机械(18步) ↓ 抛光检测(100步)→椭偏仪/薄膜材料纳米孔径分析仪 1、工序 2、设备情况 根据工艺流程,集成电路制造环节所需要的设备主要包括光刻机、化学汽相淀积(CVD)设备、刻蚀机、离子注入机、表面处理设备、晶圆检测设备等。传统封测环节则需要切割机、研磨机、压合机、曝光机等设备,先进封装工艺更需要光刻机、刻蚀机等原来用于晶圆制造环节的设备。 2014 年全球集成电路设备制造企业 排名 国家 公司 主要半导体设备产品 2014 年收入(亿美元) 1 美国 应用材料公司(Applied Materials) 原子层沉积(ALD)设备, 化学气相沉积(CVD)设备, 电化学沉积(ECD)设备,物理气相沉积(PVD 设备),刻蚀机,快速热处理设备,离子注入机,化学机械抛光(CMP) ,表面处理(SP)设备,计量和晶圆检测设备,掩膜板制造设备等。 220 2 荷兰 阿斯麦(ASML) 高端光刻机(如沉浸式光刻机、极紫外线光刻机(EUV)) 。 200 3 美国 泛林半导体(Lam Research) 刻蚀设备(如金属刻蚀设备, 电介质刻蚀设备, 三维集成电路刻蚀设备,MEMS 刻蚀设备, 深硅刻蚀设备), 晶圆清洗设备, 薄膜沉积设备(包括PECVD、HDPCVD、MCVD、ECD、PVD 设备,针对薄膜沉积后处理的UVTP 设备,光致抗蚀设备等。 170 前 十 强 4 日本 东京电子(Tokyo El
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