ga在sio2si结构下开管掺杂.pptxVIP

6.1 Ga在SiO2/Si系开管掺杂的背景6.1.1 传统扩散杂质的选择;6.1.2 开管扩镓的出现及与其他工艺的比较;;6.1.3 Ga在SiO2/Si系下单温区开管掺杂的产生;6.2 开管扩镓原理6.2.1 扩散装置与系统内的化学反应;在设定的扩散条件下，该系统内的主要化学反应为;6.2.2 开管扩镓的主要步骤;6.2.3 Ga在SiO2/Si结构下的扩散原理;R□测试值;采用ASR-100C/2自动扩展电阻探针测量上述三种样品的浓度分布，扩展电阻（SRP）法测量的Ga原子浓度随深度的变化曲线如图所示。; 掺杂时间不等的扩展电阻（SRP）浓度分布曲线 ;采用IMS-4f型二次离子质谱仪对上述样品进行二次离子质谱（SIMS）测量，分别得到Ga的计数强度与溅射时间的关系曲线如图所示。其中SiO2-Si之间的界面是通过氧元素的突然下降峰来界定。 ;三种不同样品的SIMS曲线 （c）K3的SIMS曲线 ;若将强度-时间兑换成浓度与深度的关系曲线，并将它们合并在一起组成的曲线组如图所示。 ;利用原子力显微镜（AFM）对轻掺杂、重掺杂和未掺杂的SiO2表面进行扫描，由AFM的1μm2微结构的扫描图如图所示。; 3．Ga在SiO2中的扩散 Ga在SiO2中的运动也是一种扩散运动，应符合菲克一 维扩散方程;4．Ga在SiO2-Si界面的固-固扩散 与传统固-固扩散相比，区别只在于SiO2薄层中的杂质含量为非固定量，是由扩散条件所决定下的流动量。按照固-固扩散原理，经SiO2薄层快速吸收和输运过来的杂质Ga，分别按照它在SiO2和Si中的平衡浓度进行再分配。 ;5．Ga在Si中的扩散 在整个扩散期间，Ga2O3与H2反应在汽-固的相界面形成Ga的恒定表面源，若把SiO2薄膜视为Ga的过渡区，那么Ga在硅中的预沉积仍然可以用余误差函数方程式进行描述;综上所述，Ga在SiO2/Si结构下的开管扩散原理可总结为：Ga2O3与H2在高温下反应生成元素Ga并形成表面恒定源；Ga原子经过SiO2薄膜的快速吸收与输运到达SiO2-Si的界面，依靠固-固扩散原理，凭借它在Si内具有较高溶解度特性而获得了较高的表面浓度，其浓度分布服从余误差函数；扩入硅体内的杂质总量近似等于SiO2薄膜的输流量；Ga通过SiO2-Si界面（理想Si表面）扩入硅体内，可得到高均匀性的扩散表面和非常平坦的PN结。;6.3 Ga在SiO2/Si结构下的分布规律6.3.1 开管扩镓模型的初步建立;形成上述分布结果的原因最终归结为Ga本身在SiO2、Si内所具有不同的扩散特性而产生的必然结果。其一，Ga在SiO2中的扩散系数很大，而固溶度很低（1250℃下，Ga在Si中的固溶度比在SiO2中的固溶度要高出3个数量级），在此种扩散特性的制约下，SiO2薄膜只能快速传递Ga而不能大量储Ga，这是实现开管扩镓的先决条件。其二，由于Ga在Si中相比在SiO2中有较高的溶解度特性，使得Ga在SiO2-Si界面分凝后，会以较高的平衡浓度扩散入硅内，这是实现开管扩镓的重要条件。 两者的连续性确立了开管扩镓模型 ; 开管扩镓模型 ;6.3.2 Ga在SiO2/Si结构的分布规律;6.3.3 Ga在SiO2-Si界面上的分凝效应;（2）杂质在SiO2和Si中的扩散系数之比 ;2．再分布过程近硅表面Ga的反扩散特性 再分布之后，硅片表面及近表面区的Ga杂质浓度再度下降，出现Ga的损失现象，为了较全面地揭示Ga在SiO2/Si的扩散行为，我们先观察以下一组样品的二次离子质谱测量图 ;不同再分布时间的SIMS测量图 （a）再分布1h ; 不同再分布时间的SIMS测量图 （b）再分布2h （c）再分布5h ; 预沉积和再分布的浓度分布组合图 ;6.4 Ga基区晶体管6.4.1 Ga基区晶体管的制备及其电学性能;Ga基区晶体管最突出的优势在于，在保证其他参数优良的前提下，显著提高了器件的耐压水平。其主要机理为： （1） Ga的线性缓变结 利用开管扩镓技术其掺杂浓度随意可调、任意组合的优势，在制备基区时，首先进行低浓度掺杂和结深推移相结合，在PN结前沿形成缓变式杂质分布，如图所示。 ;（2） SiO2对重金属的屏蔽 Ga扩散晶体管具有高电压的原因还应归于SiO2薄层的覆盖。因SiO2薄膜可以较好地屏蔽重金属杂质（Au、Fe、Cu等）的扩散，因为它们在SiO2中表现为慢扩散特性（例如在1200℃下，重金属在SiO2中的扩散系数约为10-14cm2/s，而同温度下在硅中的扩散系数约为10-6cm2/s），最大程度地减少了由重金属原子造成