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随着充电过程的进行,电容电压逐渐升高,因此uI也逐渐增大。一旦uI达到非门G1的阈值电压UTH ,多谐振荡器必将发生如下正反馈过程: 这一正反馈过程促使G1瞬间导通、G2瞬间截止,可得uO1 = UOL , uO = UOH 。该状态被定义为第二暂稳态。 ②第二暂稳态自动翻转至第一暂稳态 当多谐振荡器进入第二暂稳态的瞬间,电路输出uO由0V 翻转为VDD (UOH = VDD )。鉴于电容两端电压不能突变,所以uI本该从UTH上升至VDD + UTH 。但由于保护二极管D1的钳位作用, uI仅上升至VDD +UD。此后,电容C 放电。放电回路为非门G2的PMOS管TP2、R和非门G1中的NMOS管TN1,如图6.4.4(a)所示。 随着放电过程的进行,电容电压逐渐降低,因此uI也逐渐减小。一旦uI达到非门G1的阈值电压UTH ,多谐振荡器必将发生如下正反馈过程: 这一正反馈过程促使G1瞬间截止、G2瞬间导通,可得uO 1= UOH , uO = UOL 。显然,此时多谐振荡器返回至第一暂稳态。 此后,电路重复上述过程,周而复始的在两个暂稳态间来回翻转,从而产生矩形脉冲波。 6.4.3 多谐振荡器工作波形图 三、主要参数 = = 四、改进 6.4.4 加补偿电阻的多谐振荡器 电源电压的波动会导致振荡频率不稳定。为减小电源电压变化对振荡频率影响,在原先电路上增加一个补偿电阻RS即可,如图6.4.4所示。 一般取RS =10R。 6.4.2 用施密特触发器构成多谐振荡器 一、电路组成 6.4.5 用施密特触发器构成的多谐振荡器 二、工作原理 6.4.6 施密特触发器构成的多谐振荡器工作波形图 ①电容C 充电至uC = UT+ ,施密特触发器的输出翻转为低电平 多谐振荡器接通电源后,因为电容上的初始电压为零,所以施密特触发器的输出uO为高电平。 此后, uO经电阻R向电容C充电,电容电压uC逐渐升高。一旦uC = UT+ 时,施密特触发器的输出翻转为低电平。 ②电容C 放电至uC = UT-,施密特触发器的输出翻转为高电平 施密特触发器的输出翻转为低电平后,电容C 必经由电阻R开始放电。当放电至uI = UT-时,施密特触发器的输出uO又翻转为高电平。此后,电容又重新开始充电。如此反复,电路不停的振荡,得到矩形波。 图6.4.6给出了输入uI与输出uO的电压波形。 三、主要参数 四、改进 6.4.7 脉冲占空比可调的多谐振荡器 6.4.3 石英晶体多谐振荡器 一、石英晶体 最简便的稳频方法是在多谐振荡器中接入石英晶体,构成石英晶体多谐振荡器。 石英晶体的固有振荡频率 fo 由结晶方向、外形尺寸决定;频率稳定度(Δfo / fo)可达10-10~10-11 。 当外加电压的频率f = fo 时,其电抗 X=0 。 6.4.8 石英晶体的电抗频率特性和符号 (3)模态3-电路自动返回稳态 当 t=t1时,电容C开始放电,当uC下降至门G2的阈值电压( 约为1.4V,此时t=t2 ),门G2发生翻转,使uO自动翻转一次,跳变为高电平,返回稳态,即uO = UOH 。 2、性能参数计算-输出脉宽 图6.2.4 电容C 放电等效回路和uC波形 (a)电容C 的放电回路 (b)电容电压uC波形 2、性能参数计算-输出脉宽 2、性能参数计算-恢复时间与 分辨时间 6.2.2 集成单稳态触发器 1、不可重复触发 触发进入暂稳态时,再加触发脉冲无效 2、可重复触发 触发进入暂稳态时,再次触发有效,输出脉冲可再维持一个脉宽。 常用74121,74221,74LS221等都是不可重复触发的单稳态触发器。 其中,74121的电路符号如图。 一、分类 二、常用产品举例 集成单稳态触发器的两种工作波形 集成单稳态触发器74121 A1、A2是下沿有效的触发信号输入端,B是上沿有效的触发信号输入端。 图6.2.5 集成单稳态触发器74121 的外部元件连接方法 (a)使用外接电阻Rext 且采用下降沿触发 (b)使用内部电阻Rint 且采用上升沿触发 74121的主要参数 (1) 输出脉冲宽度tW 使用外接电阻: tW ≈0.7RextC 使用内部电阻: tW ≈0.7RintC 74121内部电阻(2KΩ),外接电阻Rext可在1.4KΩ~40KΩ之间选择,外接电容C可在10pF~10μF之间选择, 74121的主要参数 (2)输入触发脉冲最小周期Tmin
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