半导体工艺第二章.docVIP

2-1为什么要进行器件隔离？ 答、因为在分立器件和集成电路中，其基本组成单元就是无源原件和有源器件，这些元器件按照一定的方式互连而具备一定的电学性能，并能完成一定的器件功能。所以制造在硅片表面的元器件之间必须是相互隔离的，即相互之间地绝缘的。 2-2 器件隔离有哪两种方法？这两种隔离分别用在哪种类型的集成电路中？ 答、ＰＮ结隔离法　绝缘体隔离法　　分别用在 2-３描述PN结隔离的工艺过程。 答、1)在P型衬底上采用外延淀积工艺形成N型外延层。 2)在外延层上电积二氧化硅，并进行光刻和刻蚀。 3)去除光刻胶，露在隔离区上的N型外延层硅，然后再N型外延层上进行P型杂质扩散，扩散深度达到衬底，这是双型集成电路制造工艺中最耗时的一步，使N型的器件区域的底部和侧面均被PN结所包围，器件就制作在被包围的器件区里。 2-4 PN结隔离存在哪些问题？ 答、1）隔离区较宽，使集成电路的有效面积减小，不利于提高集成电路的集成度。 2）隔离扩散了大的集电区—衬底和集电区—基区电容，不利于集成电路速度的提高。 2-5 绝缘物隔离有哪两种隔离技术？ 答、局部氧化隔离工艺 浅槽隔离 2-6 描述局部氧化工艺和浅槽隔离工艺？ 答、局部氧化隔离工艺 ： 1)热生长一层薄的垫氧层，用来降低氮化物与硅之间的应力。