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第七章
7-1 简述光刻的基本概念。
答：通过光化合反应，将掩膜版上的电路图图形暂时转移到覆盖在半导体晶片上的光刻胶，然后利用光刻胶为掩膜，对下方材料选择性加工（刻蚀或注入），从而在半导体晶片上获得相应电路图形。
7-2 简述光刻工艺的基本参数。
答：特征尺寸—一般指MOS管的最小栅长；分辨率——区分晶圆上两个邻近的图形的能力；套准精度——掩膜版上的图形要与晶圆上已经存在的图形对准；工艺宽容度——光刻工艺不容易受设备，材料，操作等的影响，生产符合要求的产品。
7-3 简述光刻工艺的基本环境要求。
答：高图形分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、低缺陷、高工艺宽容度。
7-4 简述光刻工艺的基本工艺步骤。
答：气相成底膜、旋转涂胶、软烘、曝光、烘培、显影、坚膜、显影检查。
7-5 简述光刻胶的基本组成和特性要求。
答：基本组成：聚合物、溶剂、感光剂、增感剂；特性要求：聚合物：固体有机材料（胶膜的主体），粘合光刻胶中的各种材料；感光剂：光敏物质，与紫外光可发生反应；增感剂：提高或改善光刻胶感光性能；溶剂：用溶剂对感光剂等进行溶解，形成一定粘度的液态物质，经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜。
7-6 简述常用的光刻设备。
答：光刻设备主要分为以下五代：接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分布重复光刻机和步进扫描光刻机。
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