电子元器件的防浪涌应用.docVIP

. Word 资料 电子元器件的防浪涌应用 电浪涌引起的电过应力（EOS）损伤或烧毁是电子元器件在使用过程中最常见的失效模式之一。 电浪涌是一种随机的短时间的高电压和强电流冲击，其平均功率虽然很小，但瞬时功率却非常之大。因此，它对电子元器件的破坏性很大，轻则引起逻辑电路出现误动作或导致器件的局部损伤，重则引发热电效应（如双极晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应），使器件特性产生不可逆的变化，甚至遭到永久性破坏（如造成铝金属互连线的烧熔飞溅）。随着电子元器件集成密度的提高和几何尺寸的缩小，使得它越来越容易因受到电过应力而损坏。因此，必须采取有效措施予以防范。 9.1.1 集成电路开关工作产生的浪涌电流 数字集成电路在输出状态翻转时，其工作电流的变化很大。例如，在如图9.1所示的具有图腾柱输出结构的TTL电路中，当状态翻转时，由于晶体管内储存电荷的释放需要一定的时间，其输出部分的两个晶体管VT01和VT02会有大约10ns的瞬间同时导通，这相当于电源对地短路。每一个门电路，在此转换瞬间有幅度为30mA左右的浪涌电流输出。 对于大规模集成电路或高密度印制板组件，一块电路或一块组件上会有几十乃至成千上百个门电路同时翻转，所形成的浪涌电流是十分可观的。在上例中，若有33块TTL电路同时翻转，则瞬态电流可达1A，而变化时间