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常用的半导体材料有哪些？
半导体材料硅和锗、砷化镓、磷化铟、磷化镓、碳化硅、氮化镓。
2. 为什么会选用硅作为常用的半导体材料？
（1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%。
（2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅的熔点是14120C，远高于锗的9370C的熔点，更高的熔点使得硅可以承受更高的工艺温度。
（3）更宽的工作温度范围。硅半导体器件的工作温度比锗的工作温度范围要宽，增加了半导体的应用范围和可靠性。
（4）氧化硅的自然生成。
3. 简述半导体级硅的制作步骤。
得到SGS的第一步是在还原气体环境中，通过加热含碳的硅石（SiO2），一种纯沙，来生产冶金级硅。
由于冶金级硅的玷污程度相当高，所以必须它对半导体制作没有任何用处。然后将冶金级硅压碎并通过化学反应生成含硅的三氯硅烷气体。
含硅的三氯硅烷经过再一次化学过程并用氢气还原制备出纯度为99.9999999%的半导体级硅。
4. 描述非晶材料。为什么这种硅不能用于硅片？
非晶材料是指非晶固体材料，它们没有重复的结构，并且在原子级结构上体现的是杂乱的结构。非晶材料是与晶体材料相对的，塑料就是一种非晶材料。非晶硅对生产半导体器件所需的硅片来讲是没有任何用处的，这是因为器件的许多电学和机械性质都与它的原子级结构有关。这就要求重复性的结构使得芯片与芯片之间的性能有重复性。
5. 常用生长单晶硅的方法有哪些？
目前制备单晶硅的主要方法有直拉法（即CZ法）和悬浮区熔法，85%以上的单晶硅是采用CZ法生长出来的。
6. 单晶炉由哪些部分组成？
单晶炉可分为四个部分：炉体、机械传动系统、加热温控系统以及气体传送系统。
7. 简述直拉法晶体生长过程。
= 1 \* GB3 ① 准备工作 = 2 \* GB3 ② 装炉 = 3 \* GB3 ③ 加热熔硅 = 4 \* GB3 ④ 拉晶。
8. 描述区熔法。
区熔法生长单晶硅锭是把掺杂好的多晶硅棒铸在一个模型里。一个籽晶固定到一端然后放进生长炉中。用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域。加热多晶硅棒是区熔法最主要的部分，因为在熔融的硅棒的凝固为单晶界面之前只有3分钟的时间。晶体生长中的加热过程沿着晶棒的轴向移动。
9. 硅锭径向研磨的作用是什么？
晶棒的直径不可能很精确的符合直径要求，一般都要稍大一些，所以需要对其进行径向研磨。
10. 为什么要倒角？给出它有益于硅片质量的三个原因。
倒角就是磨去wafer周围锋利的棱角，其目的有以下三个：防止wafer边缘破裂、防止热应力造成的损伤、增加外延层以及光刻胶在wafer边缘的平坦度。
11. 为什么要对硅片表面进行化学机械平坦化？
除去表面细微的损伤层，得到高平整度的光滑表面
12 硅片质量控制主要有哪些？
1．物理尺寸 2. 平整度3. 微粗糙度4 氧含量5. 颗粒6. 体电阻率
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