14场效应管放大器.pptxVIP

5.1 场效应管1. 特点:(1)导电能力由电压控制的半导体器件。(2) 仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。(3) 体积小、耗电少、寿命长等优点，(4) 输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。(5)广泛用于大规模及超大规模集成电路。JFET结型FET场效应管MOSFET(IGFET)绝缘栅型2.场效应管分类：N沟道（耗尽型）P沟道N沟道增强型P沟道N沟道耗尽型P沟道PP5.1.1 结型场效应管:结构:基底 ：N型半导体D漏极N两边是P区G栅极导电沟道PN结S源极DGSDGS符号：N沟道结型场效应管P 沟道结型场效应管UGS当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。二、工作原理（以N沟道为例）当 UDS= 0 V时：* 若UGS = 0,沟道较宽，沟道电阻小* 若加入UGS 0,PN结反偏，耗尽层变厚沟道变窄，沟道电阻增大* 若UGS = VP （夹断电压）时沟道夹断，沟道电阻很大沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。|UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。加入UGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型漏源电压VDS对iD的影响* 在栅源间加电压VGS，漏源间加电压VDS。 由于漏源间有一电位梯度VDS漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS源端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS 漏端的耗尽层比源端的耗尽层厚，使沟道呈楔形。 沟道夹断前，iD 与 vDS 近似呈线性关系。 随VDS增大，这种不均匀性越明显。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点。 当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流 iD 趋于饱和。1、输出特性曲线：可变电阻区4.1.2 伏安特性曲线及参数（1）可变电阻区条件：源端与漏端沟道都不夹断特点: 1)当vGS 为定值时, 管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受 vGS 控制 。2)管压降vDS 很小。用途：做压控线性电阻和无触点电子开关。可变电阻区（2）恒流区：(又称饱和区或放大区）条件:①源端沟道未夹断②漏端沟道予夹断特点: 受控性： 输入电压 vGS 控制输出电流恒流区② 恒流性：输出电流 i D 基本上不受输出电压 v DS 的影响。用途:可做放大器和恒流源。可变电阻区特点：当漏源电压增大到 时击穿区夹断区（3）夹断区：条件：整个沟道都夹断 恒流区 用途：做无触点电子开关。（4）击穿区漏端PN结发生雪崩击穿， iD 剧增 V(BR)DS一般为（20— 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的V(BR)DS就越小。管子不能在击穿区工作。IDIDSSVPΔIDΔVGS－5－4－3－2－1VGS gm=?ID/?VGS?Q （mS) 2、转移特性曲线跨导： 转移特性曲线的斜率， gm 的大小反映了VGS对ID的控制作用。 其量纲为mA/V。 输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制N沟道耗尽型结型场效应管 P沟道耗尽型结型场效应管的特性小结N沟道P沟道 耗尽型N沟道P沟道 增强型5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管( Metal Oxide Semiconductor ) —— MOSFET类型及其符号:耗尽型 (N沟道、P沟道)增强型 (N沟道、P沟道VGS=0 时已有导电沟道。 VGS=0 时无导电沟道SiO2绝缘层金属电极P型硅衬底高掺杂N区 5.1.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管NMOS1、结构 金属 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。源极S栅极G漏极D 绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。VGS2、N沟道增强型MOS场效应管的工作原理(1). 栅源电压VGS的控制作用当VGS=0V时 因 PN结的隔离，即使在D、S之间加上电压, 在D、S间也不可能形成电流。当 0＜VGS＜VT (开启电压)时由栅极和衬底间的电场作用，电子向上吸引，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥,复合形成一薄层离子耗尽层。 漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。VGSVDS当VGS＞VT时， 衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层 使衬底表层中的电子空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称为反型层。形成源区到漏区的N型沟道。 把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。 这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS越大，沟道越宽，沟道电阻越小,