半导体器件基础1分解.pptxVIP

第一章 半导体器件基础;一.二极管基本原理;杂质半导体;; 动画演示;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式;二. 二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号; 1 、半导体二极管的V—A特性曲线;二极管的近似分析???算;例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;三. 二极管的主要参数;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;四、发光二极管;六、变容二极管; 1.2 半导体三极管;一.BJT的结构;2．电流分配关系;(2)IC与I B之间的关系：;二. BJT的特性曲线（共发射极接法）; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;三. BJT的主要参数; 3.极间反向电流; 4.极限参数;（3）反向击穿电压;2.温度对三极管参数的影响; 1.4 三极管的模型及分析方法;; 半导体三极管的型号;五、光电三极管和光电耦合器; 1.3 场效应管;一. 绝缘栅场效应三极管; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; 2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道耗尽型MOSFET;4. MOS管的主要参数;1.分类：晶闸管的种类很多 A. 按特性分：有单向，双向，光控等。 B. 按容量分：大功率(50A)、中功率（5- 50A)和小功率。;本章小结