先进陶瓷材料及进展-第6章-低介装置陶瓷.pptVIP

第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。 此类非金属晶体有：金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、 立方BN（昂贵）、SiC（难烧结，需热压）、 BP（对杂质敏感）、 BeO、AlN。 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 4、高导热陶瓷材料特征比较 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 (1) 氧化铍瓷 性能 指标 密度/(g/cm6) 2.9 热导率/(W/m?℃) 610 热膨胀系数/(10-6 /℃) 7.2 抗弯强度/(MN/m2) 195 介电常数 6.5~7.5 介电损耗 0.005 绝缘电阻率/Ω?m 1012 关键：降低烧结温度 添加剂：MgO、Al2O6 问题：加入添加剂会使热导率降低 Be-O共价键较强 平均原子量仅12 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 (2) 氮化铝瓷 性能 指标 热导率/(W/m?℃) 可达280 热膨胀系数/(10-6 /℃) 6.5 抗弯强度/(MPa) 500 介电常数(1MHz) 8.8 介电损耗 5×10-4 绝缘电阻率/Ω?m 5×1011 Al-N共价键强 平均原子量20.49 热导率高 热膨胀系数与Si接近 6～6.8 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 5、多芯片组件技术-多层基片 MCM（Multi Chip Module）—将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线板上，经整体封装而构成的多芯片组件。 MCM的核心是多层基板技术。 应用：武器系统、航天电子、高频雷达、超级计算机（CPU封装）、通讯、传真、数据处理、高清晰度电视、摄像机、汽车电子等。 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 § 6-2-1 滑石瓷 1、滑石的结构 滑石瓷分子式：6MgO·4SiO2·H2O 滑石矿为层状结构的镁硅酸盐，属单斜晶系，[SiO4]四面体联结成连续的六方平面网，活性氧离子朝向一边，每两个六方网状层的活性氧离子彼此相对，通过一层水镁氧层联结成复合层。 复合层 共价键\离子键 分子键 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 2、滑石的相变 120~200℃，脱去吸附水 1000℃，脱去结构水，转变为偏硅酸镁 1557℃，再次失去Si，生成镁橄榄石 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 呈单链状辉石结构，它有三种晶型： 顽辉石 原顽辉石 斜顽辉石 偏硅酸镁 原顽辉石是滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 3、滑石瓷存在的问题及解决方案 (1) 老化 (2) 开裂 (3) 烧结温区过窄 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 (1) 老化（粉化）: 老化原因： 防老化措施： a. 用粘度大的玻璃相包裹晶粒，防止相变 b. 抑制晶粒生长 c. 去除游离石英 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 (2) 开裂 开裂原因： 防开裂措施： a. 1600~1650℃高温预烧 b. 热压铸成型 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 (3) 烧结温区过窄 MgO-Al2O6-SiO2系统的最低共熔点为1665℃，其组成为MgO(20%)、Al2O6(18.6%)、SiO2(61.4%)，与滑石瓷的组成非常接近，故滑石瓷在1650℃左右开始出现液相，并随温度的升高，液相数量急剧增加，使胚体软化、变形、甚至报废。 由于粉料经高温预烧后活性下降，烧结温度过低会出现生烧。因此滑石瓷的烧结温区一般为10~20℃。 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 扩大烧结温区的措施： 扩展下限：a)、提高粉料的活性：粉料细化，降低预烧温度或采用一次配料成瓷； b)、加入助熔剂BaCO6：在800℃~950℃出现Ba-Al-Si玻璃，包裹偏硅酸镁晶粒促进烧结； 扩展上限：a)、提高玻璃相黏度：b)、加入阻制剂ZrO2、ZnO，使Mg-Al-Si液相黏度大，胚体不易变形。 第6章 Internet应用基础 § 6-2 典型低介装置瓷 4、滑石瓷的用途 滑石瓷便宜，但热稳定性差，主要用于制造: 绝缘子 线圈骨架