材料研究方法与实验_05-AESSIMS.pdf

俄歇电子能谱 Auger Electron Spectrometry （AES) 俄歇电子能谱虽然早在1925年(法)P.Auger 已经在 Welson云雾室观察到俄歇电子的迹径，并且正确地解释 了这种电子的来源，但直到六十年代末在解决了俄歇信 号检测和分析问题后，才有可实际用来进行表面分析的 俄歇谱仪。七十年代，出现了扫描俄歇，性能不断改善， 成为微区分析的有力工具。 在俄歇电子能谱仪中，一束电子射到样品表面。根据 从样品表面发射的俄歇电子的能量，可以确定表面存在 什么元素; 根据发射俄歇电子的数量，可以确定元素在 表面的含量。 俄歇电子：在入射电子激发样品的特征x射线过程 中，如果在原子内层电子能级跃迁过程中释放出来 的能量并不以x射线的形式发射出去，而是用这部 分能量把空位层内的另一个电子发射出去(或使空位 层的外层电子发射出去) ，这个被电离出来的电子称 为俄歇电子。 二次电子 俄歇电子 俄 歇 N 电 M 子 发 入射一次电子 L 生 机 K 理 当电子照射到固体试样表面时，原子的内层电子(K层） 作为二次电子放出，留下一个空穴，高能级L 的电子将落 下来填补空穴。与此同时，(1)放出具有E –E 能量的特征 k L X射线及(2)放出具有E –2E 能量的电子。在(1)的情况下， k L 给出了X射线显微分析所需信号(如EPMA测定) ；在(2)的 情况下，称为俄歇电子的KLL转移。 即：样品表面原子受到电子束的轰击而电离，在电 离原子的退激发过程中会释放出俄歇电子，这种电 子具有对应于元素种类的固有能量，如：KLL俄歇 电子能量 E = E 2E KLL K L E 、E 分别为K、L能级的结合能 K L AES 的特点 (1) 极薄表面层的元素分析（可分析深度在2nm 以内） (2) 分辨率高，有很高的微区分析灵敏度； (3) 也可进行化学结合状态的测定； (4) 易于其它方法结合，可进行三维扫描(成像): 如:AES一XPS组合可了解原子的键合状态; AES一LEED(低能电子衍射) ，不仅能测定元素种 类，也能测定原子的排列; (5) 对样品表面要求不严格 (6) 利用离子枪的刻蚀功能可进行深度分析 AES 的特点 谱线复杂； 定量分析还有困难； 样品表面易损伤:二次电子过程会对样品表面损伤，使 其信息量减少，这种损伤对有机材料尤其严重。对有机材料最 多的应用是采用AES与离子溅射并存的方法来分析纵深的剖面 图。 存在电子束引起的干扰：绝缘体样品表面易带电，特 别是进入和离开样品的为大功率电子通量，须快