半导体器件物理之半导体接触.pptxVIP

主要内容pn结异质结金属-半导体接触半导体-氧化物接触, MISECEfEfEVECEfEV半导体器件的四种基础结构金属-半导体界面，在金属和半导体之间形成的一种紧密接触。是第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET。p-n 结在p型和n型半导体之间形成的“结”，具有整流特性，广泛用于电子电路的整流、开关及其他工作中。若再加一层p型半导体，两个p-n结构成p-n-p双极晶体管。? ECECEf?EVEVECEfEfEV异质结界面即在两种不同的半导体之间形成的界面，可构成双异质结激光器等。金属-绝缘体-半导体结构如果绝缘体用氧化物，即MOS结构, 可视为一个金属-氧化物界面和一个氧化物-半导体界面的结合,ULSL中最重要的MOSFET器件的基本结构。2.1 p - n 结二级管 主要内容 基本器件工艺介绍耗尽区和耗尽电容 I-V特性结的击穿瞬变特性端功能 1。基本器件工艺 介绍几种器件制备方法 合金法得到的结的位置严格依赖于温度-时间合金过程，难以精确控制。1。基本器件工艺 固态扩散法能精确控制杂质分布扩散台面结法1。基本器件工艺 固态扩散法采用绝缘层的方法外延衬底平面工艺—是制备半导体器件的主要方法1。基本器件工艺离子注入-更精确地控制杂质的分布与扩散（10000C) 相比，是低温工艺，可在室温下进行。在低于700度下退火，去除晶格损伤1。基本器件工艺平面工艺中的主要工序外延生长可用气相生长技术形成，例如：热CVD化学气相沉积MOCVD精确控制组分和薄膜厚度-原子层生长MBE物理气相沉积也可用液相技术形成，1。基本器件工艺氧化--二氧化硅干氧生长1。基本器件工艺氧化--二氧化硅水汽氧化1。基本器件工艺杂质扩散一维扩散方程，菲克定律杂质总量为S的“有限源”情况：高斯函数表面浓度为Cs的“恒定表面浓度“情形：余误差函数扩散系数D依赖于温度和杂质浓度，在低浓度情况下，D与杂质无关。杂质扩散系数D与杂质固溶度有关1。基本器件工艺离子注入：为改变衬底的电学、冶金学或化学性质而将带电高能原子引入衬底。典型离子能量：10-400keV之间典型离子剂量：1011-1016 离子数/cm2优点： 精确控制总剂量，深度分布和面均匀性 低温工艺 注入结能与掩膜边缘自对准激光处理：用高强度的激光辐射可去除离子注入损伤，使半导体层再结晶。缺点： 离子注入损伤1。基本器件工艺杂质分布描述突变结—合金结、浅扩散结和离子注入结突变结近似的杂质分布。1。基本器件工艺线性缓变结—深扩散结线性缓变结近似的杂质分布。1。基本器件工艺通过绝缘层上的窗口向半导体本底扩散形成p-n结时，杂质要向下扩散，也要向侧向扩散：柱形边缘分布和球形角分布在扩散掩膜边缘附近形成结弯曲的平面扩散工艺。通过矩形掩膜扩散形成近似的柱面和球面区。p-n结扩散势、耗尽区耗尽区电容电流-电压特性结的击穿瞬变特性端功能p-n 结理论是半导体器件物理的基础。PN结两侧电子和空穴浓度相差悬殊?P区空穴和N区电子向对方扩散，?空间电荷区?自建电场 N?P1。p-n 结的理想静态和动态特性。2。讨论耗尽层内的产生和复合。2。耗尽区和耗尽电容- 突变结xN-xP当半导体的杂质浓度从受主杂质NA突变为施主杂质ND时，得到突变结.空间电荷分布热平衡状态（无外电压，没有电流）：根据电流密度方程：同理净电子和空穴电流为零，要求费米能级在整个样品中为常数。xN-xP空间电荷分布：空间电荷区总宽度电场分布：泊松方程+边界条件根据泊松方程，得到：X=0处的最大电场积分，得到电场分布电势分布:两次积分，得到电势分布内建势 电势，Vbi 为内建势 总的耗尽层宽度能带： 内建势 能带图 平衡时，结两侧空穴密度之间和电子密度之间的关系Ge， Si， GaAs单边突变结的内建势耗尽层的宽度单边突变结双边突变结考虑到多数载流子分布尾，经过修正的单边突变结的W：半导体的特征长度，德拜长度 Si的德拜长度与掺杂浓度的关系Si单边突变结耗尽层宽度和单位面积耗尽层电容与掺杂浓度的关系。耗尽层电容：单位面积的耗尽层电容定义为：单边突变结，单位面积电容：1/C2~V ?直线，斜率：衬底杂质浓度，1/C2=0时截距：内建势。F/cm2反向和正向偏置 Si单边突变结耗尽层宽度和单位面积耗尽层电容与掺杂浓度的关系。2。耗尽区和耗尽电容- 线性缓变结杂质分布:杂质浓度梯度泊松方程:积分,得到电场分布:最大电场:两次积分,得到内建势: 线性缓变结的耗尽层电容:Ge, Si 和GaAs 线性缓变结的梯度电压.虚线为零偏压情形 Si线性缓变结的耗尽层宽度和单位面积耗尽层电容与杂质浓度梯度的关系.