半导体二极管69802.pptx

构成：;(1) 点接触型二极管;(2) 面接触型二极管;正极引线;1)二极管的伏安方程;2) 二极管的伏安特性;正向特性;反向特性;; 二极管的特性对温度很敏感, 温度升高, 正向特性曲线向左移, 反向特性曲线向下移。 其规律是：在室温附近, 在同一电流下, 温度每升高１℃, 正向压降减小２～２.５ｍV；温度每升高１０℃, 反向电流约增大 1 倍。 ; (1) 最大整流电流ＩＦ。它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ, 如超过ＩＦ, 二极管将过热而烧毁。此值取决???ＰＮ结的面积、材料和散热情况。 (2) 最大反向工作电压ＵＲ。这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时, 二极管可能被击穿。为了留有余地, 通常取击穿电压的一半作为ＵＲ。 ; (3) 反向电流ＩＲ。指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小, 二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成, 所以ＩＲ值受温度的影响很大。  (4) 最高工作频率ｆＭ。ｆＭ的值主要取决于ＰＮ结结电容的大小, 结电容越大, 则二极管允许的最高工作频率越低。 ; (5) 二极管的直流电阻ＲＤ。加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比, 称为二极管的直流电阻ＲＤ, 即  此值可由二极管特性曲线求出, 如图示。工作点电压为ＵＦ＝１.５V, 电流ＩＦ＝５０ｍΑ, 则;图 求直流电阻 ; (6) 二极管的交流电阻ｒｄ。在二极管工作点附近, 电压的微变值ΔＵ与相应的微变电流值ΔＩ之比, 称为该点的交流电阻ｒｄ, 即 ;ｒｄ就是工作点Ｑ处的切线斜率倒数。显然, ｒd也是非线性的, 即工作电流越大, ｒｄ越小。交流电阻ｒｄ也可从特性曲线上求出, 如图１ - １５所示。过Ｑ点作切线, 在切线上任取两点Ａ、 Ｂ, 查出这两点间的ΔＵ和ΔＩ, 则得 ;图1-15 求交流电阻;4. 微变电阻 rD; 交流电阻rd也可利用PN结的电流方程求出。;部分国产半导体高频二极管参数表;特性;;;;;;2. 试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压UO的值。;3. 二极管构成“门”电路，设V1、V2均为理想 二极管，当输入电压UA、UB为低电压0V和高电压 5V的不同组合时，求输出电压UO的值。;4. 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui =15 sin?t (V)作用下输出 uO的波形。;5. ui = 2 sin ?t (V), 分析二极管的限幅作用。;;电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中含交、直流成分;对于交流信号 电路可等效为;1.3.6 ???压二极管; 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。; (3) 最大耗散功率 PZM ——;(5)稳定电压温度系数—温度的变化将使VZ改变; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。;;4）简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：;2) 半导体二极管的识别与检测;(2) 用万用表检测二极管; 二极管的运用基础, 就是二极管的单向导电特性。 在应用电路中, 关键是判断二极管的导通或截止。 二极管导通时一般用电压源ＵＤ＝０.７V(硅管, 如是锗管用０.３V)代替, 或近似用短路线代替。 截止时, 一般将二极管断开, 即认为二极管反向电阻为无穷大。;;;(1). 并联二极管上限幅电路;并联二极管上限幅电路;并联二极管上限幅电路;Ｅ＝０V, 限幅电平为０V。uｉ＞０时二极管导通, uo＝０V； ui＜０V, 二极管截止, uo＝uｉ。图（a） ０＜Ｅ＜Um, 则限幅电平为＋Ｅ。uｉ＜Ｅ, 二极管截止, uo＝uｉ；uｉ＞Ｅ, 二极管导通, uo＝Ｅ。图（b） －Ｕm＜Ｅ＜０, 则限幅电平为-E, 。 图（c）  ;（2） 并联下限幅电路 ;（3） 串联下限幅电路;（4） 串联限幅电路;将两个二极管VD1和VD2反向并联在电路的输出端，即可构成双向限幅电路，如图所示。;2）二极管门电路 ;1）发光二极管 LED(Light Emitting Diode); 材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光