chapter14半导体二极管和三极管1解析.pptxVIP

第14章 二极管和三极管14.1半导体的导电特性14.2 PN结14.3半导体二极管14.4稳压二极管14.5晶体管第14章 二极管和三极管本章要求：理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；2. 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、 工作原理和特性曲线和主要参数的；3. 掌握含有二极管的电路分析，了解该电路的 基本原理。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。GeSi硅原子锗原子14.1 半导体的导电特性14.1.1 本征半导体 (Intrinsic semiconductor)现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Si Si价电子 Si Si14.1.1 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体的导电能力很弱。共价健(covalent bond)晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价键中的两个电子，称为价电子(valence electron )。 Si Si Si Si本征半导体的导电机理自由电子free eletron价电子valence electron空穴(hole) 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子，同时共价键中留下一个空位，称为空穴。这一现象称为本征激发。温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 Si Si Si Si本征半导体的导电机理自由电子free eletron价电子空穴(hole) 在外电场的作用下，自由电子将产生定向移动，形成电子电流；由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次来填补空穴，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1) 自由电子作定向运动 ?电子电流 (2) 价电子递补空穴 ?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差； (2) 温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 Si Si Si SiN型硅表示+p+14.1.2 N 型半导体和 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。多余电子磷原子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。失去一个电子变为正离子 Si Si SiB– SiP型硅表示14.1.2 N 型半导体和 P 型半导体掺入三价元素空穴 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。硼原子 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。接受一个电子变为负离子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。N型半导体P型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－杂质半导体的示意表示法(N-type semiconductor)(P-type semiconductor)半导体的导电特性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。14.2 PN结 (PN junction)内电场－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++－－+++－－++－－++－－ 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。14.2.1 PN结的形成空间电荷区也称 PN 结 少子的漂移运动P 型半导体N 型半导体浓度差多子的扩散运动形成空间电荷区 扩散的结果使空间电荷区变宽。14.2 PN结 (PN junction)14.2.1 PN结的形成空间电荷区也称 PN 结 少子的