第4部分晶体结构缺陷.ppt

第四章 晶体结构缺陷 1、缺陷的定义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 2、理想晶体：质点严格按照空间点阵排列的晶体。 3、实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性的晶体。 4、晶体缺陷对材料性能的影响： 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程有关。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 4.1.1 点缺陷 杂质原子/离子 4.1.1.1点缺陷的类型 （一）根据其对理想晶格偏离的几何位置及成分来划分 填隙原子：原子进入晶体正常结点之间的间隙位置，称为填隙原子或间隙原子。 空位：正常结点没有被原子或离子所占据成为空节点，称为空位。 杂质原子：外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质。 有取代原子；间隙式杂质原子； 固溶体。 取代原子：这种杂质原子取代原来晶格中的原子而进入正常结点的位置。 间隙式杂质原子：杂质进入晶体中本来就没有院子的间隙位置，生成间隙式杂质原子。 固溶体：杂质进入晶体可看成是一个溶解的过程，杂质为溶质，原晶体为溶剂，这种溶解了杂质原子的晶体称为固溶体。 （二）按点缺陷产生的原因分类 热缺陷 杂质缺陷 非化学计量结构缺陷 Frenkel缺陷 由于晶格上原子的热振动，一部分能量较大的原子离开正常位置，进入间隙变成填隙原子，并在原来的位置留下一个空位。 Frenkel缺陷特点 空位、填隙原子成对出现，两者数量相等； 晶体的体积不发生改变； 间隙——六方、面心立方密堆中的四面体和八面体空隙; 不需要自由表面； 一般情况下，离子晶体中阳离子比阴离子小，即正负离子半径相差大时，易形成Frenkel缺陷。 Schottky缺陷 正常格点上的原子迁移到表面，从而在晶体内部留下空位。 Schottky缺陷特点 只有空位，没有填隙原子； 如果是离子晶体，阳离子空位和阴离子空位成对出现，两者数量相等，保持电中性； 需要有自由表面； 伴随新表面的产生，晶体体积增加； 正负离子半径相差不大时，Schottky缺陷为主； 杂质缺陷 亦称为组成缺陷或非本征缺陷 定义：是由外来杂质的引入所产生缺陷。 特征：如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围 内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。这 与热缺陷是不同的。 杂质缺陷对材料性能的影响：由于外来杂质的影响使材料原有性质发生改变，如在陶瓷材料及半导体材料中，为了得到特定性能的材料，往往有意添加杂质。提高材料的性能。 氧化锆中掺氧化钙，可提高氧化锆的热稳定性。 非化学计量缺陷 定义：指组成上偏离化学中的定比定律，所 形成的缺陷。它是由基质晶体与介质 中的某些组分发生变换而产生。 特点：某些化学组成随周围气氛的性质及其 分压大小而变化。是一种半导体材料。 4.2缺陷化学反应表示法 1、缺陷化学：凡从理论上定性定量地把材料中的点缺陷看作化学实物，并用化学热力学的原理来研究缺陷的产生、平衡及其浓度等问题的一门科学，称为缺陷化学。 2、克罗格-明克符号 Kroger-Vink 在系统中，用一个主要符号来表明缺陷的种类，而用一个右下脚标来表示这个缺陷的位置。右上角标表示有效电荷数。 4.2缺陷化学反应表示法4.2.1点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号 以MX型化合物为例： 1.空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。 3. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示，MX的含义是M原子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。 4. 自由电子（electron）与电子空穴 (hole） 　　分别用e，和h ·来表示。其中右上标中的一撇“，”代表一个单位负电荷，一个圆点“ · ”代表一个单位正电荷。 5.带电缺陷 　　在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，，写成VNa’ ，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。同理，Cl－离子空位记为VCl · ，带一个单位正电荷。 即：VNa’=VNa＋e，，VCl · =VCl＋h·。 其它带电缺陷： 　1)CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为CaNa · ，此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置，带有一个单位正电荷。 2)CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，此缺陷带有二个单位负电荷。 其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等