半导体器件基础pn结反向击穿12pn结的单向导电性.pptVIP

P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 内电场E 第14章 半导体器件基础 14.2 PN结的形成及其单向导电性 N型半导体 14.2.1 PN结的形成 第14章 半导体器件基础 1. PN 结正向偏置 14.2.2 PN结的单向导电性 PN 结正向偏置，空间电荷区变窄，有利于多子的扩散运动，形成较大的正向电流。 第14章 半导体器件基础 2. PN 结反向偏置 14.2.2 PN结的单向导电性 由于漏电流很小，故反向偏置的PN结相当于截止。 PN 结反向偏置，空间电荷区变宽，有利于少子的漂移运动，形成反向漏电流。 第14章 半导体器件基础 3. PN 结反向击穿 14.2.2 PN结的单向导电性 PN 结反向电压增大到一定程度，会出现反向电流急剧增大的现象，此时PN 结已经反向击穿。 第14章 半导体器件基础 14.2.3 PN结的结电容 1. 扩散电容 第14章 半导体器件基础 2. 势垒电容 14.2.3 PN结的结电容 第14章 半导体器件基础 2 掺入杂质（其它微量元素）可以改变半导体 的导电性能，形成N型半导体和P型半导体 总结：1 半导体内部有两