模拟cmos集成电路设计拉扎维单级放大器二图文.pptxVIP

上一讲放大器基础知识电阻做负载的共源级增益有非线性，电阻精度差或面积大A v= g m R D2西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 上一讲二极管接法的MOS 管做负载的共源级 线性度好，输出摆幅小，增益不能太大（否 则摆幅小、带宽小） μ n (W / L ) 1μ p (W / L ) 2 (W / L)11(W / L)21 + ηAv = ?A v = ?3西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计上一讲电流源做负载的共源级增益大Av = ?gm ro1 || ro24西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 上一讲深线性区MOS管做负载的共源级 输出摆幅大（可以为VDD） 得到精准的Ron2比较困难；受工艺、温度变 化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较 难 1(VDD ? Vb ? | VTHP |)RON 2 =? W ?μnCox ? ? ? L ? 2 Av = ?gm RON2西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计5 上一讲 带源极负反馈的共源级 Rs使Gm和增益变为gm的弱函数，提高线性 度 输出电阻大ROUT = [1 + (gm + gmb )ro ]RS + ro 牺牲了增益 A v= ? G m R D g m R D1 + g m R S 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计= ?6如何求“从M1源端看进去的电阻”？QV1 = ?VX , IX ? gmVX ? gmbVX = 0VX1∴Rout = =IXgm + gmb求从“？端看进去的电阻”，用同样方法7西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计本讲共漏级－源跟随器共栅级共源共栅级折叠共源共栅级手算时器件模型和公式的选择8西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－大信号特性9西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－小信号特性－增益10西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－增益随Vin的变化 Vout=1V时， η=0.163 g m RS 1 + ( g m + g mb ) RS1 + η 1+ (1 + 1 + (1 + η ) g m RS γ2 2ΦF +VSBAv == = )η =1g mb g m1g m RS1≈(当g m RS 足够大时)11西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－增益的非线性 Vout=1V时， η=0.163 g m RS 1 + ( g m + g mb ) RS1 + η 1+ (1 + 1 + (1 + η ) g m RS γ2 2ΦF +VSBAv == = )η =1g mb g m1g m RS1≈(当g m RS 足够大时)12西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－提高增益的线性度 gmRSgmgm1+ (gm + gmb)RS1 + (gm + gmb)gm + gmb RSAv ===(当RS = ∞时)仍存在非线性，因为（η）gmb随Vin的变化而改变。A = 1源随器通常有百分之几的非线性1+η 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计v13 源跟随器－提高增益的线性度采用PMOS管做源随管，消除体效应 小信号等效电路 gm1(rO1 rO1)1+ gm1(rO1 rO1)Av = 提高了线性度 输出电阻比NMOS管的大西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计14源跟随器－考虑rO和RL后的增益1|| ro1 || ro2 || RLgmbAv =11|| ro1 || ro2 || RL +gmbgm15西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－小信号特性－Rin IinVin I inRin = 低频下，Iin=0，因此，Rin=∞西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计16源跟随器－小信号特性－Rout 输出电阻小驱动低阻负载时的阻抗转换电路 1g m + g mb=Rout()VTH = VTH 0 + γ2ΦF + VSB ?2ΦF17西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－PMOS管做源随管采用PMOS管做源随管，能消除体效应g m 1 ( rO 1rO 1 )提高了线性度A v=1 + g m 1 ( rO 1rO 1 )源-衬寄生电容降低带宽18西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 源跟随器－PMOS管做源随管采用PMOS管做源随管，能消除体效应 在相同W/L和 ID情况下，比 NMOS管的大 1+ g mb 1g m 1g mR out , NMOS==rO 1 r O 2 ≈R outg m19西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计源跟随器－摆幅问题源跟随器会使信号直流电平产生VGS的平移，降低信号摆幅保证M1工作在饱和区VX ≥ VGS1 ?