cigs薄膜太阳能电池简要介绍和发展现状.pptxVIP

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池简要介绍和发展现状;第一章 太阳能电池产业概述? 第二章 太阳能电池的种类第三章 CIGS薄膜太阳能电池介绍第四章 CIGS薄膜太阳能电池产业现状;第一章 太阳能电池产业概述; 一、太阳能是人类未来能源的必然选择 资源丰富：40分钟照射地球辐射的能量＝全球人类一年的能量需求 洁净能源：与石油、煤炭等矿物燃料不同，不会导致“温室效应”，也不会造成环境污染 使用方便：同水能、风能等新能源相比，不受地域的限制，利用成本低。; 　　　不论以何种材料来制作电池，对太阳能电池材料一般的要求有： １、半导体材料的禁带不能太宽； ２、要有较高的光电转换效率： ３、材料本身对环境不造成污染； ４、材料便于工业化生产且材料性能稳定。 　　电池工业化生产的工艺要求： 　　　太阳电池从研究室走向工厂，实验研究走向规模化生产是其发展的道路，所以能够达到工业化生产的特征应该是： １、电池的制作工艺能够满足流水线作业； ２、能够大规模、现代化生产； ３、达到高效、低成本。; 资源储量： 我国总面积2/3以上地区年日照时数大于2200小时，其中西藏、青海、新疆、甘肃、宁夏、内蒙古高原均为太阳能资源丰富地区；除四川盆地、贵州省资源稍差外，东部、南部及东北等其它地区都是资源较富和中等区。太阳能资源理论存储总量达每年17000亿吨标准煤，与美国相近，比欧洲、日本优越得多。 比重：2%→80% 太阳能与其他新能源相比在资源潜力和持久适用性方面更具优势，从长远前景来看，光伏发电是最具潜力的战略替代发电技术。现在占有量不足2%。相关专家预测，到本世纪后期，太阳能发电将在世界电能结构中占据80％的位置。 成本：10-20元/度→1-2元/度 现在硅价格约400美圆/千克，相当于8-9元/片（人民币），成本下降受限。薄膜太阳能电池是解决途径。 CIGS和Si电池相比：材料1/2，耗能1/3，如果采用国产设备，考虑到人力成本，总成本将在si的20%。 ;第二章 太阳能电池种类;一、硅系太阳能电池?;单晶硅、多晶硅、硅薄膜的区别 最好辨的是多晶。有点像大理石，一片结晶一片结晶地靠在一起，有点蓝。薄膜就像一般计算机上采用的，颜色均匀，黑色多。单晶和薄膜有点像，颜色均匀，但多为大面积，切成四方形，可是四角有截角，有些是圆形。 ;二、多元化合物薄膜太阳能电池? ;三、有机聚合物太阳能电池? ;四、纳米晶化学太阳能电池?;１、硅太阳能电池：技术要求高，生产过程高能耗，存在环境污染。 ２、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉等多元化合物为材料的太阳能电池：技术要求高，效率高，价格高，硫化镉存在污染问题，砷化镓III-V化合物电池最近几年发展迅速，主要用在太空领域。 ３、铜铟硒薄膜太阳能电池 ：技术要求高，效率高，无衰减，材料存量可以满足10GW/年的产量，最近发展迅速，美国ＮＲＥＬ在２００６年研制成功亚微米铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其用铟量和ＩＴＯ玻璃相当，成本是单晶硅电池的１／３－１／５，将是未来太阳能电池的主要发展方向之一。 ４、功能高分子材料制备的大阳能电池：价格有优势，效率较低，存在衰减问题。近阶段大量利用的可能性不大。 ５、纳米晶太阳能电池等。主要在研究阶段。;五、不同太阳能电池技术特点比较;第三章 CIGS薄膜太阳能电池介绍; 学术界和产业界普遍认为太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代太阳能电池就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池及薄膜Si系太阳能电池。 铜铟镓硒薄膜太阳能电池是多元化合物薄膜电池的重要一员，由于其优越的综合性能，已成为全球光伏领域研究热点之一。;二、铜铟硒（CIS）薄膜太阳能电池介绍;突出特点：CIS 太阳电池有转换效率高、制造成本低、电池性能稳定三大突出的特点。 转换效率高 CIS薄膜的禁带宽度为1.04eV，通过掺入适量的Ga（镓）以替代部分In，成为Cu In1= xGaxSe2 (简称CIGS) 混溶晶体，薄膜的禁带宽度可在1.04～1.7 eV 范围内调整，这就为太阳电池最佳带隙的优化提供了新的途径。所以, C IS (C IGS)是高效薄膜太阳电池的最有前途的光伏材料。美国NREL 使用三步沉积法制作的C IGS 太阳能电池的最高转换效率为19.5%，是薄膜太阳电池的世界纪录。 制造成本低 吸收层薄膜CuInSe2是一种直接带隙材料，光吸收率高达105量级，最适于太阳电池薄膜化，电池厚度可以做到2～3Lm，降低了昂贵的材料消耗。C IS