半导体中的杂质与缺陷更新上传.pptxVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷;理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。;实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 ;主要内容;§2-1 元素半导体中的杂质能级;(2) 替位式→杂质占据格点的位置。大小接近、电子壳层结构相近;二、元素半导体的杂质;电离时，P原子能够提供导电电子并形成正电中心，称为施主杂质。;;施主杂质的电离能小，在常温下基本上电离。;在Si中掺入B;;;施主和受主浓度：ND、NA;N型半导体 特征：;P型半导体价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴。空穴为多子，电子为少子。;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半导体 ;施主向导带提供的载流子 =1016～1017/cm3 》 本征载流子浓度;上述杂质的特点：;4. 浅能级杂质电离能的简单计算;玻尔原子电子的运动轨道