场效应管及其放大电路3.pptxVIP

;;(2) N沟道增强型管的工作原理;;;N沟道增强型场效应管的工作原理;(3)进一步增加UGS，当UGS＞ UGS(th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，将漏极和源极沟通，形成沟道。如果此时UDS0，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方导电沟道中的电子，因与P型区的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着VGS的继续增加，反型层变厚，ID增加;(3) 特性曲线;;2. 耗尽型绝缘栅场效应管;2. 耗尽型绝缘栅场效应管;(2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;2. 耗尽型绝缘栅场效应管;耗尽型;3. 场效应管的主要参数; 场效应管与晶体管的比较;15.9.2 场效晶体管放大电路;1.自给偏压式偏置电路;+UDD ;+UDD ;2. 分压式偏置电路;(2) 动态分析;;3.源极输出器;例：在图所示的源极输出器中，已知UDD = 12V RS=12kΩ,RG1 = 1MΩ,RG2 =500kΩ,RG = 1M Ω 。 试求静态值、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。;课后作业