光电材料与半导体器件23gesi合金的等离子色散效应掺杂或注入都可.pptxVIP

第二章 GeSi异质结及超晶格的基本特性;本章内容;2.1 GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性; 在临界厚度的计算中，通常有两种理论模型：力学平衡模型和能量平衡模型。在第一个模型中，假定位错由力平衡的破坏所致，当失配引起的作用使位错线上的力FH大于位错内部引力FD时，产生位错，如图2-1所示。当外延层厚度为ha时，界面连贯如图2-1中曲线a所示，当厚度为hb时，外延层处于位错的临界状态，界面如图2-1中曲线b所示，当外延层厚度为hc时，在界面形成位错，同时引入长为LL′的失配位错线，如图2-1中曲线c所示。这两种介质弹性常数相等，则FH为： ;位错的张力为： ;在能量平衡模型中，假定失配位错由能量平衡破坏后产生，即当薄膜的应变能量面密度 超过形成一个螺旋位错所需能量密度 时产生位错，其中外延层薄膜的应变能量密度为：;对于GexSi1-x系统，取b=0.4nm，则式（2-6）可近似为：;2. 应变超晶格的基本性质; 若将势垒宽度减小，则相邻量子阱之间的波函数会产生耦合，当减小到与电子德布罗意波长相近时，由于相邻势阱中电子波函数的互相耦合，使多量子阱中分立的能量扩展成能带。这种材料称为超晶格。而量子阱是指势垒有足够的厚度（如200A°）和高度（△E0.5ev），那么相邻阱中的电子波函数不发生交叠，则结构材料中电子的行为如同单个阱中电子行为的简单总和。 超晶格的两种材料的晶格常数一般是不相等的，实验发现，只要失配度不是很大，超晶格每层厚度不是很大，则两种材料会发生弹性形变，最后达到在平行与界面的方向上一个统一的平衡的晶格常数，并且保持晶体的良好的结构性。这种超晶格称为应变层超晶格（SLS, Strained-layer Superlattice）。;3. 超晶格的稳定性及临界厚度 ;一个由层A和层B组成的n个周期超晶格，A层和B层厚度分别为dA和dB，对于衬底而言，界面平面的应变势为 和 。对于未释放应变能的结构，超晶格的弹性应变能为： 对于超晶格的任一层来说，当单个外延层的厚度超过临界厚度时，应变能超过临界值，在此界面引入缺陷以释放能量。但如果每一层材料都在临界厚度之下，当结构中总的应变能足???大时，仍有可能引入缺陷。 在衬底与超晶格区域的界面处，如果引入规则排列的缺陷时，会改变超晶格的平均晶格常数，如果忽略衬底的应变能与失配位错的能量，则超晶格的弹性应变能为 ;α是每一层势能的减小值，是晶格常数的函数，对于最小的应变能Emin，我们可对上式求导，取其为零。便可求出相应的 如果Emax的数量小于失配位错核的临界应变能，超晶格仍保持匹配，即不引入位错。 ;假设超晶格是处于孤立的自由状态，并设应变的两组薄层的晶格常数aA和aB，dA和dB比hc小时，组成的超晶格无任何失配位错。若两层的弹性系统相同，且厚的衬底不受薄外延层的影响，由能量平衡原则，超晶格层中能量最小的条件是 设两超晶格层面内的晶格常数为aav,则 超晶格的平均组分xav为;实际上，超晶格必须支撑在衬底上，这样超晶格薄层将受到力的作用，以达到平行于界面的晶格常数等于衬底的晶格常数aSi，此情况下超晶格的临界厚度hc仍可用应变GexSi1-x/Si的应变层的临界厚度的公式表示，而失配因子fm则为 代入xav,、xA,、xB的值，可得 周期性连贯的超晶格，可以当作组分等于平均值xav的GexSi1-x单层来计算，在衬底上的对称的应变超晶格中，两层的组分和厚度受到调节，以使具有大小相等但方向相反的应变，则应变能最小。GexSi1-x/Si超晶格的临界厚度为;2.2 GeSi合金的折射率的计算;由D.V.Lang等人的研究结果，△Eg(x)可表示为： ; 总之，GeSi合金折射率的各种计算模型，为我们研究和分析这种材料的器件性能提供了理论依据。 ;2.3 GeSi合金的等离子色散效应; 根据Drude的模型，可将GeSi中的自由载流子引起的等离子体色散效应类似地写为： ;根据电导有效质量的表达式 对于Si中电子 ， ,对于Ge中电子 ， 可得到Si和Ge中的电子电导有效质量分别为：mc(Si)=0.2m。mc(Ge)=0.12m。则GexSi1-x中电子的电导有效质量可表示为 同理，对Si中的空穴 , 对Ge中的空穴 ， 代入下式 可得出