单片机学习存储扩展.pptxVIP

第8章89C51单片机扩展存储器的设计8.1 系统扩展结构 AT89C51系统并行扩展结构如图8-1所示。 P.119A0~A1516D0~D783WRRSEN64K×8bit=64KB64K×8bit=64KB按数据存储器空间扩展图8-1P.120直通A0~A15,输出16位地址码，可选通216=64K个地址单元8锁存74LS3738D透明锁存器GQ可扩展存储容量：64K单元×8b/单元=64KB88DOE8D0~D7,传输8位数据片外程序存储器读选通信号P3.6/片外数据存储器写选通信号P3.6/P3.7/P3.7/片外数据存储器读选通信号图8-2 AT89C51单片机扩展的片外三总线P.1208.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.2 外部地址锁存器1. 锁存器74LS373带有三态门的8D锁存器,其引脚及内部结构如图8-7和图8-8。 89C51与74LS373的连接如图8-9所示。 OE* G D Q 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 × 不变 1 × × 高阻态表8-3 74LS373功能表锁存直通图8-8 74LS373内部结构【例B8-1】MCS-51单片机片外全扩展示例27512 EPROM62512 SRAMA15 . . . .A0A15 . . . .A0A8~A1564KB64KB74LS373GQA0~A7DOED7 . .D0D7 . .D0D0~D7OE CE OE WE CE 片外程序存储器读选通片外程序存储器片外数据存储器片外数据存储器写选通OE 读允许(RE、R )WE 写允许(WR、W )CE 片选 (CS、C )片外数据存储器读选通P.1228.2.1 存储器地址空间分配例 要扩8片8KB的RAM 6264，如何通过74LS138把64KB空间分配给各个芯片？ 全地址译码方式：单片机输出每一个逻辑地址码对应选中一个物理存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。【全译码】C B A ········A000········011········1A15A14A13图8-5 64KB地址空间划分成8个8KB空间P.123如果用74LS138把64K空间全部划分为每块4KB，如何划分呢？【全译码】“0” C B A ········A000········011········1A15A14A13A12图8-6 存储器空间划分成每块4KB空间可再用一片74LS138译出后8个4KB片选信号，G1端直接连P2.7/A158.3 程序存储器EPROM的扩展 程序存储器通常采用只读存储器芯片，常态只读、非易失性。（1）掩膜ROM在制造过程中通过掩膜工艺编程。永久不可更改,适大批量生产。（2）可编程ROM（PROM）用专门的编程器一次性编程写入。(空白片通常全“1”)（3）可擦除可编程ROM（EPROM）电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。（4）电可擦除可编程ROM（E2PROM、EEPROM）电信号编程，电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。（5）Flash ROM又称闪烁存储器，简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。 美国ATMEL公司生产的与51系列单片机兼容的产品89C2051/ 89C51/89C52/89C55，片内分别有2KB/4KB/8KB/20KB的Flash ROM，来作为EPROM使用P.124“编程” = “固化” = “烧写”P.1258.3.1 常用EPROM芯片典型芯片是27系列产品，例如， 2764（8KB×8）、27128（16KB×8）、27256（32KB×8）、27512（64KB×8）。 “27”后面的数字表示其位存储容量(Kb)。随着大规模集成电路技术的发展，大容量存储器芯片的产量剧增，售价不断下降，其性价比明显增高，而且由于有些厂家已停止生产小容量的芯片，使市场上某些小容量芯片的价格反而比大容量芯片还贵。所以，在扩展程序存储器设计时，应尽量采用大容量芯片。P.1251.常用的EPROM芯片27系列EPROM芯片的引脚如图8-11所示，参数见表8-4。图8-11中的引脚功能如下：A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量来定，用来进行单元选择。D7～D0：数据线引脚CE*：片选输入端OE* ：输出允许控制端PGM*：编程时，加编程脉冲的输入端 Vpp：编程时，编程电压（+12V或+25V）输入端Vcc：+5V，芯片的工作电压。 GND：数字地。NC：无用端“编程” = “固化” = “烧写”P.1268 KB16 KB32 KB64 KB图8-11常用EPROM芯片引脚图P.1298.3.3 AT89