光电检测器件的类型复习.pptxVIP

探测器件热电探测元件光子探测元件外光电效应内光电效应放 大 型非放大型光磁电探测器光电导探测器光生伏特探测器光电倍增管真空光电管像增强器放大型充气光电管掺杂型本征型非放大摄像管光电三极管光电池光敏电阻红外探测器光电场效应管变像管光电二极管雪崩型光电二极管光电器件分类及特点光子探测器探测器响应波长有选择性，一般有截止波长，超过该波长，器件无响应。无波长选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短， 一般为纳秒到几百微秒响应慢，一般为几毫秒4.1 光电器件的性能参数响应特性噪声特性量子效率一、响应特性１．响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。响应度是随入射光波长变化而变化的响应度分电压响应率和电流响应率４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 脉冲响应特性上升时间tr：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。10%~90%下降时间tf ：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。 90%~10%５、信噪比信噪比是判定噪声大小的参数。是负载电阻上信号功率与噪声功率之比若用分贝（dB）表示，为６、噪声等效功率(NEP)定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。第二节 光电发射器件光电发射效应：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。一、光电效应及元件 用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串具有能量（每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率γ，即E=hγ）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。分类：外光电效应光导效应光生伏特效应（一）外光电效应外光电效应：在光线的作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。E=hγ=mυ2/2 +A1．光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为红限频率，用γ0表示。γ0=A/h 若入射光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，若入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。E=hγ=mυ2/2 +A2．当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。3．光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率。对于一定的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量hγ越大，则电子的初动能越大。光电阴极阳极第一倍增极第三倍增极入射光光电倍增管及其基本特性由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子l;k的，收集到的电子数是阴极发射电子数的105~106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时，它就能产生很大的光电流。光电倍增管(PMT)光电倍增管是利用外光电效应制成的一种光电探测器件。其光电转换分为光电发射和电子倍增两个过程。 ——把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电探测器件。光电倍增管使用注意要点不宜用强光，容易引起疲劳额定电压和电流内工作入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应电场屏蔽和磁屏蔽测交变光时，负载电阻不宜过大光电导效应定义：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。——内光电效应内光电效应产生的自由电子停留在物体内部，不发生电子逸出。器件：光敏电阻、由光敏电阻制作的光导管。分类：本征光电导效应与杂质光电导效应光敏电阻利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。导带电子Eg价带空穴导带电子ΔＥ施主空穴价带光敏电阻分类本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子－空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。杂质型：对于Ｎ型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质