hall效应测试仪解析.pptxVIP

霍尔效应系统;用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 ;一、霍尔效应基本原理;实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即;如下图所示，一长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为 ;Fm指向Y轴的负方向。自由电子受力偏转的结果，向A侧面积聚，同时在B侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场EH（即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力Fe，A、B面之间的电位差为VH（即霍尔电压）， ;最后达稳定状态时有 ;若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流 I=nebdV ;上面讨论的是N型半导体样品产生的霍尔效应，B侧面电位比A侧面高；对于P型半导体样品，由于形成电流的载流子是带正电荷的空穴，与N型半导体的情况相反，A侧面积累正电荷，B侧面积累负电荷，此时，A侧面电位比B侧面高。由此可知，根据A、B两端电位的高低，就可以判断半导体材料的导电类型是P型还是N型。;如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所