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- 2020-03-12 发布于上海
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第 3 章 双极型晶体管3.1 结构 3.2 放大原理 3.3 直流电流增益3.4 反向直流特性3.5 开关作用3.1晶体管的基本结构及杂质分布cbe3.1.1晶体管的基本结构 由两个靠得很近的背靠背的PN结构成cbePNPNPN3.1晶体管的基本结构及杂质分布3.1.2 BJT的杂质分布1.锗合金管-均匀基区晶体管特点:三个区杂质均匀分布2结为突变结 2.硅平面管-缓变基区晶体管特点:E、B区杂质非均匀分布2结为缓变结3.1晶体管的基本结构及杂质分布集电极发射结集电结发射极发射区基区集电区基极“背靠背”的2个二极管有放大作用吗?3.1.3、结构特点(1)基区宽度远小于基区少子扩散长度 (WB L)(2)发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度 ( NE NB )3.2晶体管的放大原理 NPN晶体管的几种组态共基极共射极共集电极WBIneIncIrIEICIpeICBOIB3.2.1、晶体管中载流子的传输以共基极为例:1、发射结的注入2、基区的输运与复合3、集电极的收集各区少子分布能带图NPN晶体管的电流转换Ine:发射结正向注入电子电流Ipe:发射结反向注入空穴电流Irb:基区复合电流Inc:集电结电子电流Icbo:集电结反向饱和电流3.2.2、发射效率及基区输运系数1、发射效率r02、基区输运系数β*3、集电区倍增因子3.2.3、晶体管电流放大系数1.共基极直流电流放大系数 2
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