第6章 单片机总线与存储器扩展.ppt

6.3 数据存储器的扩展 MCS-51单片机内只有128字节的数据RAM，当应用中需要更多的RAM时，只能在片外扩展。可扩展的最大容量为64KB 图9-6是单片机对片外RAM进行读操作的时序。 当执行指令 MOVX A，@Ri 或 MOVXA，@DPTR 时进入外部数据RAM是的读周期。 1. 外部数据RAM的读周期时序 在ALE的上升沿，把外部程序存储器的指令读入后就开始了对片外RAM的读过程。 ALE高电平期间，在P0处于高阻三态后，根据指令 间址提供的地址，P2口输出外部RAM的高8位地址A15~A8 ，P0端口输出低8位地址A7~A0 ；在ALE下跳沿，P0输出的低8位地址被锁存在锁存器中，随后P0又进入高阻三态，RD信号有效后，被选中的RAM的数据出现在数据总线上，P0 处于输入状态，CPU从P0 读入外部RAM的数据 。 2. 外部数据RAM的写周期 当执行MOVX @Ri，A 或 MOVX @DPTR，A指令时进入外部数据存储器的写周期，其写周期时序如下： 写外部RAM的操作时序与读外部RAM的时序差别在于：其一，WR有效代替RD有效，以表明这是写数据RAM的操作；其二，在P0输出低8