晶体管及其基本放大电路97717.pptxVIP

2.1　晶体管2.1.1 晶体管的结构及类型2.1.2 晶体管的三种连接方式2.1.3 晶体管的工作方式CNPPBNNPECCBBEE (Semiconductor Transistor)2.1.1 晶体管的结构及类型一、结构、符号collector集电极 C— 集电区集电结— 基区基极 B发射结base— 发射区发射极 EemitterNPN 型PNP 型二﹑分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、 PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管 500 mW中功率管 0.5 ?1 W大功率管 1 WECECBBuouououiuiuiCBE 2.1.2 晶体管的三种连接方式 根据所选择的公共端e、c、b的不同，晶体管在电路中分别有三种不同的连接方式 共发射极共集电极共基极 2.1.3 晶体管的工作状态 工作状态可分为三种： 放大状态 饱和状态 截止状态 1. 放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置 ） (1) 放大状态下晶体管中载流子的传输过程发射结正偏向基区注入多子 电子，形成发射极电流 IE。I CNI CBO2)电子在基区的复合和传输IB (基区空穴运动因浓度低而忽略) 因集电结反偏,所以多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。I BN少数与空穴复合，形成 IBN 。IE基极电源提供(IB)基区空穴来源ICI CNI CBO集电区少子漂移(