厚薄膜材料与器件 第四章 新型半导体薄膜材料及器件.pptVIP

Thermographs 在液晶显示器中的应用 ITO Electrode （a）AMLCD截面；（b）AMLCD显示元结构 在TFT元件的应用 a-Si TFT 元件制备工艺流程 A researcher works on a commercial lithography machine, which is a microcircuit manufacturing device. a-Si:H TFTs 液晶显示器截面结构示意图 第二节 多晶硅和微晶硅薄膜 尽管a-Si:H薄膜在光学方面有很大的优点，但在电学性质方面因载流子的迁移率低，极大地限制其应用。因而发展氢化微晶硅（?c-Si:H）和多晶硅（poly-Si:H）薄膜是很必要的。 微晶硅和多晶硅具有很多优良性质，可在低温下大面积生长，容易进行掺杂，可制作欧姆接触层，具有较高的电导率，等等。 ?c-Si:H薄膜的生长方法 基于高氢气稀释比、高功率密度的PECVD技术； 用氢等离子体退火处理a-Si:H薄膜； 电子回旋共振等离子体沉积技术； 热丝或催化CVD沉积技术。 Schematic cross-section of a hot-wire deposition chamber at Utrecht University. It basically contains a substrate holder, a shutter, a hot-wire assembly, a gas inlet and a pump port. The substrate holder is optionally heated using the external heater. 热丝CVD ?c-Si:H薄膜生长机理 Si(固体) SiH4 SiHx SiHn 扩散 ?粒子 －H H e SiH4 [SiH4] Si ? ＋ m [H] 等离子体 ? 1 ? 2 ?c-Si:H从a-Si:H相中成核相 Schematic diagram of solid phase crystallization of amorphous silicon by thin film heater. 多晶硅电镜照片 晶界模型 多晶硅的应用 太阳能电池 Thin Solid Films 451–452 (2004) 455–465 * 第四章 新型半导体薄膜材料及器件 新型半导体薄膜材料以非晶硅、微晶硅及多晶硅薄膜为代表，在发光、存储、传感、显示、能源等领域有广泛的用途。 新型半导体薄膜器件正向高效率、长寿命、低价格、高集成等方向发展。 新型半导体薄膜器件的发展以微电子学微基础。 第一节 硅基非晶态半导体薄膜 非晶硅（amorphous silicon）简称a-Si，是当前非晶半导体材料及器件研究的重点和核心。 其可用作大面积、高效率太阳能电池材料，大屏幕液晶显示器和平面显示器，a-Si传感器和摄像管，非晶电致发光器件等。 对非晶半导体的研究不仅在新材料、新器件和新工艺方面具有重要意义，而且对进一步认识固体理论中的许多问题也会产生深远影响。 特点 结构上，非晶半导体的组成原子排列呈长程无序状态，但原子间的键合力十分类似于晶体，即其结构上表现为长程无序、短程有序。因而在能带结构上是定域化的，即电子的迁移率变得十分小，室温下电阻率很高。 可通过改变组分实现物性的连续变化，包括密度、相变温度、电导率、禁带宽度等。 在热力学上处于亚稳态，在一定条件下可转变为晶态。 材料结构、电学及光学性质都十分灵敏地依赖于制备条件与制备方法，因而性能重复性较差。 物理性能各向同性，无周期性结构约束。 容易形成大面积均一性好的薄膜。 a-Si中一般存在大量氢，常称氢化非晶硅，(a-Si:H) Study by Fluctuation electron microscopy Qualitative picture of variance of the diffracted intensity from: (a) a completely random collection of atoms and (b) a sample consisting of randomly oriented ordered clusters.  (a) is small and shows little dependence on the imaging conditions.  (b) is large, and varies significantly with the imaging conditions. Density of states as