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光探测器制备与测试 一、 实验目的 了解光探测器的制备、基本原理和光探测器基本参数的测试 二、  实验原理 1. 光探测器原理 本实验提到的光探测器是以无机卤素钙钛矿材料（CsPbBr3）作为有源层的平面结 构探测器（如图 1）。CsPbBr3 属于一种半导体材料，其禁带宽度大约在 2.4 eV，所 以能吸收波长小于 512nm 的光，从而实现电子从价带到导带的跃迁。当有波长相 当的光照射在探测器的有源层时，由于载流子的跃迁，在价带和导带会产生大量 的电子空穴对。并且，电极两端的电势差使得载流子们定向移动，产生电流。但 是，在没有光照的情况下，本征载流子的浓度极低，在电压下电流几乎为零。我 们利用 CsPbBr3 材料对光的敏感性，通过对探测器电流的反馈，来实现光的探测。 2. 光探测器的基本参数 光探测的基本参数包括：EQE（外量子效率）、响应时间和开关比。 外量子效率（External Quantum Efficiency, EQE）是光电探测器的主要性能指标之一， 其数值为收集到的电子数与入射光子数之比。当光子入射到光敏器材的表面时， 部分光子会激发光敏材料产生电子空穴对，形成电流，此时产生的电子与所有入 射的光子数之比称为外量子效率。外量子效率越大，探测器的性能越优。 响应时间是反映探测器响应快慢的一个参数。这里定义为当光照射在探测器有源 层时，电流会迅速变化，电流值从最终数值的 10%到 90%所需的时间。响应时间 越快，说明探测器对光的响应越灵敏，探测器的性能越好。 开关比指的是探测器的光电流与暗电流之比。在暗电流一定的情况下，开关比越 大则意味着光电流越大，探测器的探测越明显。 三、  实验内容 1. 探测器的制备 选择一个沟道距离为 50μm 的硅衬底电极，将 CsPbBr3 纳米片均匀的滴在电极上， 再将电极放置在热班上烘烤，直至溶剂完全蒸发，在电极上形成均匀的薄膜。即 得到一个平面结构探测器。 EQE (%)Current (μA) EQE (%) Current (μA) 1V 3V 5V 1V 3V 5V 7V 9V 7V 9V 7V 9V 7V 9V 7V 9V 7V 9V 7V 9V 图 1 平面结构探测器 2. I-T 曲线 用探针将探测器固定在样品台上，两端加一定的电压，打开激光器，将光斑对焦 在探测器的有源层处。在激光器与探测器之间放置一个快门，保证光斑以一定的 时间间隔移除与聚焦到探测器表面。记录一定时间段下的电流值，并作图。 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0  3.63mW/mm 0.717mW/mm 0.067mW/mm 0 50 100 Time (s) 图 2 I-T 曲线  3. 外量子效率测试 将上述样品台安装在设备上，连接好线路。打开总电源、电脑、氙灯、抽气系统、 快门、光谱仪和控制台。打开电压控制软件，设置所需的电压。进入测试软件， 连接全部仪器。仪器连接成功后，打开控制台照明光源，点击“运行”“仪器控制” “打开快门”，调整探测器位置使其对准光斑，点击“写入样品位置”。关闭控制台照 明光源，设置测试波长范围以及面积因子，点击“运行定标扫描”。即开始测试。测 试结束后，将数据按 EXCEL 的格式导出并作图。所有测试结束后，点击“断开全部 仪器”，并且所有设备关闭。 100 80 60 40 20 0 350 400 450 500 550 600 650 Wavelength (nm) 图 3 EQE 曲线