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- 2020-03-19 发布于上海
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二、再结晶的形核 由于再结晶形核的区域不同,形核方式有:亚晶粒合并形核,亚晶粒长大形核,凸出形核。1、亚晶粒合并形核 相邻两亚晶粒之间的晶界是由位错构成的。在再结晶温度,位错发生攀移和滑移并入到邻近的晶界中。这样两个亚晶粒就合并成为一个晶粒了。驱动力来自晶界能,晶界减少,形核自发进行。 这种形核方式一般出现在冷变形量很大的金属中。通过再结晶前多边化形成较小的亚晶,亚晶界曲率不大,不易迁移,但某些亚晶界中的位错可通过攀移和滑移而迁移走,使亚晶界消失,亚晶合并。2、亚晶粒迁移形核 当变形量很大时,较大的无应变亚晶(多边化时产生)为基础直接长大,吞食周围的亚晶,亚晶界向周围迁移。 由于变形大,位错密度高,亚晶界曲率大,易于迁移。亚晶界迁移过程中清除并吸收其扫过亚晶的位错,使迁移亚晶界的位错增多,变成大角度晶界。当尺寸超过临界晶核时就成了再结晶的核心。3、弓出形核 当冷变形量较小时,再结晶在原晶界处形核。 对于多晶体,不同晶粒的变形程度不同,变形大的位错密度高,畸变能高;变形小的位错密度低,畸变能低。低畸变区向高畸变区伸展,以降低总的畸变能。弓出形核的能量条件是弓出晶界移动造成相应界面能上升和体积自由能降低。AB为两个不同位错密度区的边界(大角度晶界),两区域的单位体积自由能差为ΔGv。若AB向高密度位错晶粒(Ⅱ)弓出ΔV的体积,形成无畸变新晶核,相应增加晶界面积ΔA这一过程体系的自由能变
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