NP6800Mr_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-19 发布于广东
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NP6800MR 30V DUAL N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP6800MR uses advanced trench technology D1 D2 to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other G1 G2 applications. General Features S1 S2  VDS =30V,ID =4A RDS(ON)=32mΩ (typical) @ VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ (typical) @ VGS=2.5V Marking and pin assignment  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM)  Very low on-resistance RDS(ON) 5 SOT-23-6L  150 °C operating temperature 0 (TOP VIEW)  Pb-free lead plating 3 D1 S1 D2 3 6 5 4 Application 1 5  DC/DC Converter 3 NP6800  Ideal for high-frequency switching and 2 synchronous rectification 8 3 1 2 3 Package 1 G1 S2 G2 : HF Pb  SOT-23-6L L E Ordering Information T Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel NP6800MR-G -55°C to +150°C SOT-23-6L 3000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise