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NP4606
N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description Schematic diagram
The NP4606 uses advanced trench technology
D1 D2
to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .
The complementary MOSFETs may be used to form
a level shifted high side switch, and for a host of
G1 G2
other applications.
General Features
N-channel： S1 S2
VDS =30V,ID =6.9A
p-channel n-channel
RDS(ON)=18mΩ (typical) @ VGS=10V
RDS(ON)=30mΩ (typical) @ VGS=4.5V
P-Channel： Marking and pin assignment
5
VDS =-30V,ID =-6A 0
3 SOP-8
RDS(ON)=27.2mΩ (typical) @ VGS -10V 3 (TOP VIEW)
RDS(ON)=42.5mΩ (typical) @ VGS -4.5V 1
Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 5
S2 1 8 D2
Very low on-resistance RDS(ON) N
P
3
Y X 4
Y X
150 °C operating temperature G2 2 7 D2
2 6
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