东华大学模拟电子技术——第四章场效应管放大电路20140211.pptVIP

东华大学电路电子中心 E.E.CENTER DHU 东华大学电路电子中心 E.E.CENTER DHU 模拟电子技术基础 第4章 场效应管放大电路基础 第4章 场效应管放大电路基础 1、结型场效应管（JFET） 2、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 3、场效应管静态工作点的设置方法 4、场效应管放大电路的动态分析 5、复合管 6、多级放大器件电路组成及分析 (JFET)的结构和工作原理 一、结型场效应管（JFET） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），分别与晶体管的e、b、c相对应；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，分别对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1.结构和符号 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 (JFET)的结构和工作原理 一、结型场效应管（JFET） 2.工作原理 a、栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） 用 uGS控制导电沟道的宽度，栅极-源极之间的PN结必须反向偏置。 (JFET)的结构和工作原理 一、结型场效应管（JFET） 2.工作原理 b、漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） uGDUGS（off） 恒流区，沟道电阻增大，iD几乎不变，仅