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MOS型电路是另一种常用电路，MOS意为金属—氧 化物半导体（Metal-Oxide Semiconductor）; MOS管除分N沟道、P沟道外，还分增强型和耗尽型。 增强型栅压VGS为0无沟道，耗尽型栅压VGS为0有沟道。; 2、 N沟道增强型MOS管的工作特点：
; 3、转移特性和跨导gm;4、MOS 管的输入电阻和输入电容;（二）、MOS 反相器
MOS反相器有四种形式，我们只讲E/E型、CMOS反相器。
E/E MOS 反相器有两个增强型MOS 管组成，一个作为输入管，一个作为负载管，两个管子的特性（如跨导）完全不同。 由N沟道管构成的反相器叫NMOS反相器。
见图：
;;① 与非门;T3:负载管;E/E MOS 反相器的特点：;NMOS,PMOS电路存在三个问题：;;? 工作原理;当 VI= 5 V 时：;（1）当Vi＜2V，TN截止，TP导通，Vo≈VDD=10V。 ; 电流传输特性： i o = f ( v I );⑴、静态功耗极低，仅几十纳瓦;⑶、电源利用率高; D1、D2是保护二极管，正向压降1V，反向击穿电压30V。;;⑶、电源特性; CMOS传输门是由p沟道和n沟道增强型MOS管并联互补组成。;逻辑符号：;⑴ 与非门;电路组成：; 用CMOS倒相器构成的与非门电路简单，但存在一些缺点。;;用逻辑符号表示：; 三态输出CMOS门是在普通倒相器的基础上增加控制端和控制电路构成。三态门有三种形式：;②反相器＋控制门;;后级为与或非门，经过逻辑变换，可得：;1．CMOS逻辑门电路的系列
（1）基本的CMOS——4000系列。
（2）高速的CMOS——HC系列。
（3）与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。
2．CMOS逻辑门电路主要参数的特点
（1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。
所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。
（2）阈值电压Vth约为VDD/2。
（3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。
（4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门；
（5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。; （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。; 本章小结;谢谢！
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