淀积工艺半导体制造技术.pptxVIP

淀 积概 述 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。 各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些薄膜则充当了工艺过程中的牺牲品，并且在后续的工艺中被去掉。 本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。金属和金属化合物薄膜的淀积将在第13章中介绍。目 标通过本章的学习，将能够：1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。8. 解释旋涂绝缘介质。 Poly多晶金属金属氮化硅顶层氧化硅垫氧化层氧化硅ILD场氧化层n+p+n+p+金属前氧化层n-well侧墙氧化层p- epi layer栅氧化层p+ silicon substrateMSI时代nMOS晶体管的各层膜Figure 11.1引 言 从MSI到LSI时