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第三章 集成电路中元器件;主要内容;一、集成电容;概 念;1. 多晶硅—扩散区电容;;2. 多晶硅—多晶硅电容;3. MOS电容—栅极与沟道之间的电容Cch;4. “夹心”电容;5. MOS管的极间电容和寄生电容;二、集成电阻;概 念;1. 方块电阻的概念;常用材料的方块阻值;2. 多晶硅电阻;3. N-P阱电阻;4. MOS管电阻;5. 导线电阻;6. 拐弯电阻计算;三、连线;概 念;上图为连线的寄生模型，图中R为串联寄生电阻，C为并联寄生电容。连线越长，寄生参数也越大
对于不同材料的连线，其串联寄生电阻大小也有所不同。对应不同材料连线的方块电阻分别为：; 连线上的寄生参数将对电路性能产生影响，如：
电源线上的寄生电阻会带来电源电压的衰减；
信号线上的寄生电阻和寄生电容将带来信号延迟；
导线互相平行或不同层导线交叉时，将带来相互串扰。;课后作业;3. 已知材料的方块阻值为30 Ω/口，其宽度W=1um，若要得到R=1k Ω ，试问材料的长度L=？
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